双增强模式场效应晶体管技术参数与性能特性说明.pdfVIP

CEM4532

2003年1月

双增强模式场效应晶体管（N沟道和P沟道）

特点5

30V，4.7A，RDS(ON)=55m@VGS=10V。



RDS(ON)=85m@VGS=4.5V.Ω

D1D1D2D2

‑30V，‑4.5A，RDS(ON)=80m@VGS‑10V.Ω

8765

RDS(ON)=135m@VGS‑4.5V.Ω

密度单元设计，实现极低的RDS(ON)。

高功率和大电流处理能力。

表面贴装封装。

1234

SO-8S1G1S2G2

1

绝对最大额定值（TA=25C，除非另有说明）

参数符号N沟道P沟道Unit

漏‑源电压VDS30-30V

栅极‑源极电压VGSĆ20Ć20V

漏极电流‑连续aIDĆ4.7Ć4.5A

‑脉冲IDMĆ20Ć20A

漏极‑源极二极管正向电流aIS1.7-1.7A

最大耗散功率aPD2.0W

工作结温和温度‑55至150

TJ,TSTGC

温度范围

THERMALCHARACTERISTICS

a

热阻，结至环境RįJA62.5C/W

CEM4532

Jan.2003

DualEnhancementModeFieldEffectTransistor(NandPChannel)

FEATURES

5

30V,4.7A,RDS(ON)=55m@VGS=10V.

RDS(ON)=85m@VGS=4.5V.