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探索Ⅲ族氮化物发光器件新结构：从设计创新到性能突破

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代光电子领域，Ⅲ族氮化物发光器件凭借其卓越的性能和广泛的应用前景，成为了研究的焦点。Ⅲ族氮化物主要包括氮化镓（GaN）、氮化铝（AlN）、氮化铟（InN）及其合金，它们具有宽禁带、高击穿电场、高电子迁移率等优异的物理性质，为实现高效发光提供了坚实的材料基础。

在照明领域，Ⅲ族氮化物发光二极管（LED）掀起了一场照明革命。传统的照明光源，如白炽灯和荧光灯，存在发光效率低、能耗高、寿命短等缺点。而Ⅲ族氮化物LED具有高光效、长寿命、节能环保等显著优势，成为了替代传统光源的理想选择。例如，在室内