石墨烯基微纳结构中自旋相关电子输运特性的深度解析与应用探索.docxVIP

石墨烯基微纳结构中自旋相关电子输运特性的深度解析与应用探索

一、引言

1.1研究背景与意义

随着信息技术的飞速发展，电子学领域对于高性能、低功耗器件的需求愈发迫切。自旋电子学作为一门新兴学科，旨在利用电子的自旋属性来实现信息的存储、处理和传输，为解决传统电子学面临的瓶颈问题提供了新的思路和方法。与传统电子学仅依赖电子电荷不同，自旋电子学通过操控电子自旋自由度，有望实现更高的存储密度、更快的运算速度和更低的能耗，成为推动未来信息技术发展的关键领域之一。

石墨烯，作为一种由单层碳原子以六边形晶格紧密排列而成的二维材料，自2004年被成功剥离以来，因其独特的原子结构和优异的物理性质，迅速成为材料科学和凝聚态物理领域的研究热点。在电子学方面，石墨烯展现出诸多非凡特性。其电子具有线性色散关系，类似于无质量的相对论粒子，这使得电子在其中运动时具有极高的载流子迁移率，室温下可达200,000cm2/(V?s)，甚至超过了传统的半导体材料。这种卓越的电学性能，为石墨烯在高速电子器件中的应用提供了广阔的前景。例如，基于石墨烯的晶体管有望实现更快的运算速度和更低的能耗，从而提升计算机和移动设备的性能；在射频器件中，石墨烯的高电子迁移率和宽带特性使其成为制造高性能射频晶体管和集成电路的理想材料，可应用于5G乃至未来6G通信技术中的关键器件。

更为重要的是，石墨烯具备长距离保持电子自旋讯号的能力，这一特性使其在自旋电子学领域极具潜力。电子自旋在石墨烯中的长距离传输意味着可以实现更高效的自旋信息传递，为构建基于自旋的信息处理和存储器件提供了可能。然而，石墨烯本身不具有磁性，如何有效地在石墨烯中引入自旋并精确调控其输运特性，成为了该领域亟待解决的关键问题。深入研究石墨烯基微纳结构中自旋相关的电子输运特性，不仅有助于揭示石墨烯中电子自旋的运动规律和相互作用机制，从微观层面理解其独特物理性质的本质，还能为解决石墨烯在自旋电子学应用中面临的难题提供理论指导。通过探索自旋输运特性与材料结构、外场等因素之间的关系，可以优化石墨烯基材料和器件的设计，提高其自旋相关性能，为开发高性能的石墨烯基自旋电子器件奠定坚实的理论基础。这对于推动自旋电子学的发展，实现下一代信息技术的突破，具有重要的科学意义和实际应用价值。

1.2国内外研究现状

自石墨烯被发现以来，其自旋相关的电子输运特性在国内外均引起了广泛关注，众多科研团队在理论和实验方面展开了深入研究，并取得了一系列重要成果。

在理论研究方面，国外顶尖科研团队做出了开创性贡献。美国哥伦比亚大学的研究人员通过理论计算，深入剖析了石墨烯的电子结构，揭示了其独特的狄拉克锥色散关系，阐释了电子在石墨烯中表现出无质量相对论粒子行为的内在机制，为后续研究石墨烯电子输运性质搭建了关键的理论框架。他们运用紧束缚模型和量子力学理论，对石墨烯纳米带的电子输运特性展开模拟研究，发现纳米带的宽度和边缘形状对电子的能隙和输运性质具有显著影响，宽度增加时，能隙减小，而锯齿形边缘的纳米带展现出与扶手椅形边缘纳米带截然不同的电子输运行为，这一发现为基于石墨烯纳米带的纳米电子器件设计提供了重要的理论指导。

国内科研团队也在该领域取得了丰硕成果。中国科学院物理研究所的研究人员采用第一性原理计算方法，研究了石墨烯与磁性衬底相互作用时的自旋极化和自旋输运特性，发现通过合理选择磁性衬底和调控界面耦合强度，可以有效地诱导石墨烯产生自旋极化，并实现对自旋输运的调控。他们还研究了缺陷和杂质对石墨烯自旋输运的影响，揭示了缺陷和杂质与电子自旋之间的相互作用机制，为优化石墨烯基自旋电子器件的性能提供了理论依据。

在实验研究方面，国外研究团队取得了一些突破性进展。荷兰代尔夫特理工大学的科研团队于2025年6月24日在《自然?通讯》期刊上发表研究成果，他们巧妙地将石墨烯与二维磁性晶体四硫代磷酸铬（CrPS?）结合，利用磁近邻效应，在无外部磁场的条件下，成功在石墨烯中稳定地激发并传输了关键的自旋电流量子效应，打造出受拓扑保护的“量子自旋通道”，为高性能自旋电子器件的微型化和芯片集成铺平了道路。新加坡国立大学的研究人员在石墨烯与亚铁磁性绝缘氧化物TM3FE5O12（TMIG）的复合结构中，实现了强大的自旋极化，并开发了一种利用Landau扇形移直接量化二维材料中自旋分裂能量的概念，实验证明该结构中的石墨烯自旋分裂能量高达数百MEV，且具有良好的可调性，为低功耗电子学和二维自旋电子学领域带来了新的希望。

国内实验研究也成果斐然。天津大学教授胡文平、雷圣宾、李奇峰和副教授沈永涛联合团队开发了“石蜡辅助浸入法”新技术，成功制备出具有可控手性的石墨烯卷，在室温下，这些石墨烯卷的自旋极化率超过90%，远高于其它碳材料。通过精确控制手性角度，实现