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半导体物理综合练习题试卷及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题

1.在半导体中，能隙(BandGap)的物理意义是：

A.导带底与价带顶之间的能量差，禁止单电子跨越跃迁

B.晶格振动产生声子的能量范围

C.离子键合所需的能量

D.材料熔化所需的能量

2.对于本征硅(IntrinsicSilicon)在室温下(T=300K)，下列说法正确的是：

A.价带被电子填满，导带为空

B.导带和价带都部分填满，存在少量自由电子和空穴，且数量相等

C.导带被电子填满，价带为空

D.导带和价带都完全填满，没有自由载流子

3.根据能带理论，当温度升高时，半导体本征载流子浓度(ni)将：

A.增加

B.减少

C.不变

D.先增加后减少

4.空间电荷区(DepletionRegion)主要由以下哪项构成？

A.掺杂元素离子

B.电中性电子和空穴

C.填充了导带电子的价带空位

D.被电离的施主或受主杂质

5.对于PN结，当外加正向电压(ForwardBias)时：

A.内建电场增强，空间电荷区变宽

B.内建电场减弱，空间电荷区变窄

C.内建电场增强，空间电荷区变窄

D.内建电场减弱，空间电荷区变宽

6.在理想PN结的I-V特性方程中，反向饱和电流(Is)主要由以下哪个因素决定？

A.结面积和温度

B.内建电势和掺杂浓度

C.外加电压和材料能隙

D.载流子迁移率和寿命

7.当温度升高时，理想PN结的反向饱和电流(Is)将：

A.增加

B.减少

C.不变

D.先增加后减少

8.MOSFET(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor)的导电沟道主要形成在：

A.金属电极与半导体接触处

B.氧化层与半导体接触处

C.半导体衬底内部

D.氧化层内部

9.对于N型MOSFET，当栅极电压(Vg)小于阈值电压(Vth)时：

A.沟道完全反型，器件处于导通状态

B.沟道未形成，器件处于截止状态

C.沟道部分反型，器件处于导通状态

D.沟道完全反型，器件处于截止状态

10.影响半导体载流子迁移率(μ)的主要因素包括：

A.晶格振动（声子散射）、电离杂质散射、晶格缺陷

B.载流子浓度、温度、材料能隙

C.掺杂浓度、外加电场强度、载流子寿命

D.晶体结构、材料纯度、温度

二、填空题

1.半导体中，电子占据的能级称为________，空穴可以看作是________的空位。

2.根据能带理论，满带中的电子对外加电场不产生导电作用，因为电子受到________的作用。

3.对于N型半导体，主要的载流子是________，主要的杂质载流子是________。

4.PN结形成的内建电场方向是由________区指向________区。

5.当PN结外加反向电压时，空间电荷区（耗尽层）________，其电阻率________。

6.MOSFET的栅极是通过________与半导体沟道隔开的。

7.半导体中，载流子与声子碰撞是一种主要的________机制，会降低载流子迁移率。

8.理想PN结在反向偏置下的电流主要由________电流决定。

9.温度升高，半导体本征载流子浓度________（填“增加”、“减少”或“不变”）。

10.能带理论认为，金属的导电性很好，主要是因为其________存在着大量的能级。

三、简答题

1.简述什么是半导体的能带结构，并说明能隙的作用。

2.为什么掺杂可以显著改变半导体的导电性能？

3.简述PN结形成的基本过程及其条件。

四、计算题

1.硅的电子亲和能χ=4.05eV，导带底Ec和价带顶Ev之间的禁带宽度Eg=1.12eV。计算硅的价带顶Ev的能量（以eV为单位，设真空能级为0eV）。

2.已知某本征锗(Ge)样品在300K时的电子迁移率μn=3900cm2/V·s，空穴迁移率μp=1900cm2/V·s。计算该锗样品在300K时的本征载流子浓度ni(单位：cm?