第2章-单晶电子衍射图的分析及标定课件课件.pptVIP

第2章单晶电子衍射花样的分析与标定;FIGURE2.13.

SeveralkindsofDPsobtainedfromarangeofmaterialsinaconventional100-kVTEM:

(A)amorphouscarbon,

(B)anAlsinglecrystal,

(C)polycrystallineAu,

(D)Siilluminatedwithaconvergentbeamofelectrons.

Inallcasesthedirectbeamofelectronsisresponsibleforthebrightintensityatthecenterofthepatternandthescatteredbeamsaccountforthespotsorringsthatappeararoundthedirectbeam.;形成原理、典型衍射花样、花样特征;电子束方向B近似平行于晶带轴[uvw]，因为θ很小，即入射束近似平行于衍射晶面。

反射球很大，θ很小，在0*附近反射球近似为平面。

倒易点阵的扩展。（因为使用薄晶体样品）;标定主要是指将花样指数化，其目的包括：;已知单晶花样是一个零层二维倒易截面，其倒易点规则排列，具有明显对称性，且处于二维网络的格点上。

表达花样对称性的基本单元为平行四边形。;如图所示，选择平行四边形。;2.2单晶电子衍射花样的标定;2.2.1已知晶体结构衍射花样的标定;测定各衍射斑点之间的夹角。;决定了两个斑点后，其它斑点可以根据矢量运算求得;2.2.2未知晶体结构衍射花样的标定;三、标准花样对照法;;;;;四、根据衍射斑点特征平行四边形的查表方法;**********Ni**********

PARAMETERS

A=3.5970B=3.5970C=3.5970

AF=90.000BT=90.000GM=90.000

NUVW=6NSY=1NL=1

SY:1-CUBIC;2-TETRA;3-ORTH;4-HEX;5-MONO;6-TRIC

LT:1-F;2-I;3-C;4-B;5-A;6-P;7-R;

KUVWH1K1L1H2K2L2R2/R1R3/R1FAID1D2

111102-2-2021.0001.000120.001.2721.272

2653-13-3-3311.0001.02661.73.825.825

3652-24-4-4421.0001.05463.61.599.599

442102-4-2401.0001.09566.42.804.804

5110-11-1-1111.0001.15570.532.0772.077

65312-422-2-41.0001.29180.41.734.734

75211-311-1-31.0001.34884.781.0851.085;KUVWH1K1L1H2K2L2R2/R1R3/R1FAID1D2

81000-2000-21.0001.41490.001.7981.798