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2026年工艺技术支持工程师考试题库

一、单选题（每题2分，共20题）

1.在半导体制造过程中，以下哪种工艺环节最容易引入金属离子污染？

A.光刻胶涂覆

B.热氧化

C.湿法清洗

D.化学机械抛光

2.某晶圆厂在执行PECVD（等离子体增强化学气相沉积）工艺时，发现薄膜厚度均匀性差，以下哪种原因最可能？

A.气体流量不稳定

B.等离子体功率过高

C.基板温度过低

D.腔体设计不合理

3.在芯片封装过程中，以下哪种材料最适合用于高导热率的底部填充胶？

A.硅酮胶

B.环氧树脂

C.腈-丁橡胶（NBR）

D.聚酰亚胺（PI）

4.某设备在运行过程中频繁出现振动超标，以下哪种措施最可能有效？

A.增加润滑油量

B.调整设备重心

C.降低运行速度

D.更换更高效的电机

5.在湿法清洗过程中，若发现溶液pH值异常波动，最可能的原因是？

A.温度控制不当

B.杂质引入过多

C.搅拌速度过慢

D.系统密封性差

6.以下哪种工艺参数对薄膜沉积速率影响最大？

A.基板温度

B.气体压力

C.前驱体浓度

D.等离子体密度

7.在刻蚀工艺中，若出现刻蚀速率不稳定，以下哪种原因最可能？

A.刻蚀气体流量波动

B.基板温度过高

C.刻蚀掩膜缺陷

D.工艺腔体污染

8.某设备在运行过程中出现温度异常升高，以下哪种措施最可能有效？

A.增加冷却液流量

B.降低工作负载

C.更换更高功率的加热器

D.减少设备运行时间

9.在半导体制造过程中，以下哪种工艺环节最容易引入颗粒污染？

A.化学气相沉积（CVD）

B.热氧化

C.光刻

D.湿法清洗

10.某设备在长时间运行后，性能下降明显，以下哪种维护措施最可能有效？

A.定期更换耗材

B.增加运行频率

C.降低工作温度

D.忽略小故障

二、多选题（每题3分，共10题）

1.以下哪些因素会影响薄膜沉积的均匀性？

A.基板温度分布不均

B.气体流量不稳定

C.等离子体均匀性差

D.工艺腔体漏气

2.在刻蚀工艺中，以下哪些参数需要严格控制？

A.刻蚀气体流量

B.基板温度

C.等离子体功率

D.工艺腔体压力

3.以下哪些措施可以有效减少湿法清洗过程中的化学污染？

A.使用高纯度溶剂

B.定期更换清洗液

C.优化清洗流程

D.忽略轻微的溶液浑浊

4.在半导体制造过程中，以下哪些环节需要特别注意颗粒污染的防控？

A.光刻胶涂覆

B.刻蚀

C.薄膜沉积

D.湿法清洗

5.以下哪些因素会导致设备振动超标？

A.设备不平衡

B.电机故障

C.支撑结构松动

D.运行负载过大

6.在PECVD工艺中，以下哪些参数会影响薄膜的厚度均匀性？

A.气体流量

B.基板温度

C.等离子体功率

D.工艺腔体设计

7.以下哪些措施可以有效减少设备温度异常升高？

A.优化冷却系统

B.增加散热面积

C.降低工作负载

D.忽略轻微的温度波动

8.在半导体制造过程中，以下哪些因素会导致刻蚀速率不稳定？

A.刻蚀气体流量波动

B.基板温度过高

C.刻蚀掩膜缺陷

D.工艺腔体污染

9.以下哪些措施可以有效提高薄膜沉积的均匀性？

A.优化腔体设计

B.使用均匀的加热系统

C.增加气体流量

D.忽略工艺参数的微小调整

10.在设备维护过程中，以下哪些措施是必要的？

A.定期检查关键部件

B.更换磨损的耗材

C.忽略小故障

D.优化设备运行参数

三、判断题（每题1分，共10题）

1.光刻工艺中，曝光剂量越高，刻蚀深度越大。

（正确/错误）

2.湿法清洗过程中，溶液温度越高，清洗效果越好。

（正确/错误）

3.薄膜沉积过程中，气体流量越大，沉积速率越快。

（正确/错误）

4.刻蚀工艺中，等离子体功率越高，刻蚀速率越快。

（正确/错误）

5.设备振动超标会导致基板损坏。

（正确/错误）

6.温度异常升高会影响设备的稳定性。

（正确/错误）

7.颗粒污染只会影响光刻工艺。

（正确/错误）

8.化学机械抛光（CMP）过程中，抛光垫硬度越高，抛光效果越好。

（正确/错误）

9.设备维护可以完全避免故障发生。

（正确/错误）

10.工艺腔体污染只会影响薄膜沉积的均匀性。

（正确/错误）

四、简答题（每题5分，共5题）

1.简述PECVD工艺中，气体流量对薄膜沉积速率的影响机理。

2.简述湿法清洗过程中，溶液pH值波动可能带来的问题。

3.简述设备振动超标可能的原因及解决措施。

4.简述刻蚀工艺中，等离子体功率对刻蚀速率的影响机理。

5.简述薄膜沉积过程中，如何提高薄膜的厚度均匀性。

五、论述题（每题1