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GaN基欧姆接触特性分析及AlGaN/GaNHEMT器件性能优化研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今科技飞速发展的时代，无线通信技术已广泛渗透到人类生活的各个领域，从日常的移动电话通信到高速的无线网络连接，从卫星通信到雷达探测，无线通信技术无处不在。在这一领域中，微波功率晶体管扮演着至关重要的角色，其性能的优劣直接影响着无线通信系统的信号传输质量、覆盖范围以及功率效率。经过多年的发展，传统的化合物半导体微波功率器件，如砷化镓（GaAs）器件，在性能上已逐渐逼近其材料本身的极限，难以满足未来无线通信，尤其是无线基站、雷达等对高频大功率器件日益增长的需求。

随着对高频、高功率电子器件需求的不断增长，宽禁带半导体材料因其独特的物理性质而受到广泛关注。氮化镓（GaN）作为第三代半导体材料的代表，具有禁带宽度大、击穿场强高、电子漂移饱和速度高、介电常数小、导热性能好等显著优势。这些特性使得GaN材料在高频大功率应用中展现出巨大的潜力，成为了研究的热点。例如，在5G乃至未来6G通信基站中，GaN射频器件能够提供更高的增益和效率，有效提升信号覆盖范围和传输速度；在雷达系统中，GaN基微波功率器件可实现更高的发射功率和更精确的目标探测。

欧姆接触作为GaN基器件中的关键组成部分，对器件的性能起着决定性作用。欧姆接触是指金属与半导体之间的一种低电阻接触，它不产生明显的附加阻抗，且不会使半导体内部的平衡载流子浓度发生显著改变。在GaN基器件中，良好的欧姆接触能够确保电流的高效传输，降低器件的导通电阻，减少焦耳热的产生，从而提高器件的效率和可靠性。反之，若欧姆接触电阻过高，会导致大量的能量以焦耳热的形式损耗，不仅降低了器件的性能，还可能因过热而缩短器件的使用寿命。在高功率应用中，过高的欧姆接触电阻会使器件温度急剧升高，影响器件的稳定性和可靠性，甚至导致器件失效。因此，研究和优化GaN基欧姆接触对于提升GaN基器件的性能至关重要。

AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）作为一种基于GaN材料的重要器件结构，充分利用了GaN材料的优异特性，展现出高电子迁移率、高饱和电子速度和高击穿电压等优势，在微波功率、射频、电力电子等领域具有广阔的应用前景。在微波功率放大器中，AlGaN/GaNHEMT器件能够实现高效率、高功率的信号放大，满足无线通信基站对大功率、高效率射频信号的需求；在电力电子领域，该器件可用于制造高效的功率开关，提高电力转换效率，降低能源损耗。然而，要充分发挥AlGaN/GaNHEMT器件的性能优势，欧姆接触的质量是关键因素之一。欧姆接触的性能直接影响着HEMT器件的源极和漏极与外部电路的连接质量，进而影响器件的导通电阻、电流承载能力和开关速度等关键性能指标。因此，深入研究GaN基欧姆接触以及AlGaN/GaNHEMT器件，对于推动高频大功率器件的发展，满足未来无线通信和其他领域对高性能电子器件的需求具有重要的现实意义。通过优化欧姆接触的制备工艺和性能，可以显著提升AlGaN/GaNHEMT器件的性能，为其在各个领域的广泛应用奠定坚实的基础。

1.2国内外研究现状

国内外众多科研团队和学者对GaN基欧姆接触和AlGaN/GaNHEMT器件进行了广泛而深入的研究，取得了一系列显著的成果。

在GaN基欧姆接触方面，研究主要聚焦于接触金属体系的选择、制备工艺的优化以及接触机理的深入探究。在接触金属体系研究中，Ti/Al/Ni/Au是最为常用的金属体系之一。通过大量实验研究发现，不同金属层的厚度和比例对欧姆接触性能有着显著影响。当Ti层厚度在一定范围内增加时，能够增强金属与GaN之间的粘附力，有利于形成良好的欧姆接触；而Al层在高温退火过程中会发生一系列化学反应，如与Ti形成Ti-Al二元相，与GaN中的N反应生成AlN等，这些反应对降低接触电阻起到关键作用。此外，为了进一步提高欧姆接触的热稳定性和可靠性，研究人员还探索了在传统金属体系中引入其他金属或化合物的方法。有研究报道在Ti/Al/Ni/Au体系中加入ZrN，能够有效抑制金属间的互扩散，提高欧姆接触在高温环境下的稳定性。

在制备工艺优化方面，快速热退火（RTA）工艺是目前最常用的方法之一。通过精确控制RTA的温度、时间和气氛等参数，可以显著改善欧姆接触的性能。研究表明，在氮气环境下，将退火温度控制在800-900℃，保持时间在30-60s，能够使金属与GaN之间充分发生固相反应，形成低电阻的金属间化合物，从而降低接触电阻。此外，等离子体处理技术也被应用于欧姆接触的制备过程中。在金属淀积前，对GaN表面进行等离子体刻