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19.瞬态热分析在可靠性评估中的应用

19.1瞬态热分析的重要性

瞬态热分析在电子封装的可靠性评估中具有重要意义。与稳态热分析不同，瞬态热分析考虑了系统在不同时刻的温度变化，这对于理解电子设备在实际工作条件下的热行为至关重要。例如，当电子设备启动、工作负载变化或环境温度波动时，瞬态热分析可以帮助我们预测这些变化对设备性能和寿命的影响。通过瞬态热分析，可以识别热瓶颈、优化散热设计、提高系统可靠性和延长设备寿命。

19.2瞬态热分析的基本方法

19.2.1时间步长的选择

在进行瞬态热分析时，时间步长的选择至关重要。时间步长太短会导致计算时间过长，而时间步长太长则可能无法准确捕捉温度变化的细节。通常，时间步长的选择需要考虑系统的热时间常数。热时间常数是系统从一个温度变化到另一个温度所需的时间，可以通过以下公式计算：

τ

其中：-C是热容（单位：J/K）-h是热传导系数（单位：W/m2·K）-A是表面积（单位：m2）

19.2.2热传导模型

瞬态热分析中常用的热传导模型包括一维、二维和三维模型。选择合适的模型取决于系统的几何复杂性和热源分布。例如，对于简单的平面封装，二维模型可能已经足够；而对于复杂的三维封装，三维模型则是必需的。

19.2.3初始条件和边界条件

瞬态热分析的初始条件通常是指系统在分析开始时的温度分布。边界条件则包括热源的功率、环境温度、对流系数和辐射系数等。初始条件和边界条件的设置直接影响分析结果的准确性。

19.3瞬态热分析的软件工具

19.3.1ANSYSIcepak

ANSYSIcepak是一款广泛用于电子封装热分析的软件工具。它支持稳态和瞬态热分析，可以模拟复杂的热传导、对流和辐射过程。以下是一个使用ANSYSIcepak进行瞬态热分析的简单示例：

19.3.1.1示例项目：瞬态热分析

假设我们有一个简单的电子封装模型，包括一个集成电路（IC）芯片和一个散热器。我们需要评估在不同负载功率下的瞬态温度变化。

创建几何模型：

打开ANSYSIcepak，创建一个新的项目。

在几何模型中添加IC芯片和散热器。

设置材料属性：

为IC芯片和散热器设置材料属性。例如，IC芯片的热导率为150W/m·K，散热器的热导率为200W/m·K。

定义热源：

为IC芯片定义热源。假设初始功率为10W，然后在100秒时增加到20W。

设置边界条件：

设置环境温度为25°C。

设置对流系数为10W/m2·K。

选择时间步长：

根据系统的热时间常数选择合适的时间步长。假设选择1秒的时间步长。

运行瞬态热分析：

选择瞬态热分析模式，设置总的分析时间为200秒。

运行分析。

结果分析：

分析IC芯片和散热器在不同时间点的温度变化。

生成温度变化曲线图。

19.3.1.2代码示例

以下是一个使用ANSYSIcepak的TUI（TextUserInterface）进行瞬态热分析的示例代码：

#创建几何模型

createpartIC_chipbrick00010101

createpartheatsinkbrick00110102

#设置材料属性

setmaterialIC_chipSi

setmaterialheatsinkAl

#定义热源

createheatloadIC_chipsource10

createheatloadIC_chipsource20attime100

#设置边界条件

setbcenvironmenttemp25

setbcIC_chipconv10

#选择时间步长

settimestep1

#设置总的分析时间

settotaltime200

#运行瞬态热分析

runtransientanalysis

19.3.2COMSOLMultiphysics

COMSOLMultiphysics是另一款强大的热仿真软件，支持瞬态热分析。以下是一个使用COMSOL进行瞬态热分析的示例：

19.3.2.1示例项目：瞬态热分析

假设我们有一个简单的电路板模型，包括一个功率MOSFET和一个散热片。我们需要评估在不同负载功率下的瞬态温度变化。

创建几何模型：

打开COMSOL，创建一个新的项目。

在几何模型中添加功率MOSFET和散热片。

设置材料属性：

为功率MOSFET和散热片设置材料属性。例如，功率MOSFET的热导率为100W/m·K，散热片的热导率为150W/m·K。

定义热源：

为功率MOSFET