电子封装热仿真：多物理场耦合热分析_（5）.热-电耦合分析.docxVIP

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热-电耦合分析

在电子封装设计中，热管理和电性能是两个至关重要的方面。热-电耦合分析是将这两个方面结合起来进行综合仿真，以确保电子器件在高温环境下的可靠性和性能。本节将详细介绍热-电耦合分析的原理和方法，并通过具体的软件操作示例来演示如何进行这一分析。

1.热-电耦合的基本概念

热-电耦合分析是指在电子封装设计中，同时考虑热效应和电效应的相互作用。在实际应用中，电子器件的电性能会受到温度的影响，而热量的产生又会受到电性能的影响。因此，热-电耦合分析是确保电子器件在各种工况下正常工作的必要手段。

1.1电热效应

电子器件在工作过程中会产生热量，热量的产生主要来源于以下几个方面：-焦耳热：由于电流通过导体时产生的电阻损失，根据公式P=I2R，其中P是功率，I是电流，R是电阻。-开关损耗：在功率器件中，开关过程产生的损耗也是一个重要的热源。

1.2热对电性能的影响

温度对电子器件的电性能有显著影响，主要包括：-电阻变化：电阻随温度变化，通常用温度系数α来描述，公式为RT=R01+αT?T0

2.热-电耦合分析的方法

2.1热分析

热分析通常涉及稳态和瞬态两种情况。稳态热分析假设系统达到热平衡状态，而瞬态热分析则考虑系统在不同时间点的温度变化。常用的热分析方法包括：-有限元法（FEM）：通过将物理场域离散化为有限个单元，求解每个单元的温度分布，最终得到整体的温度场。-传热方程：通过求解传热方程（如傅里叶热传导方程）来预测系统的温度分布。

2.2电分析

电分析主要涉及稳态和瞬态的电流、电压分布。常用的电分析方法包括：-电路仿真：通过电路仿真软件（如SPICE）来分析电路的稳态和瞬态行为。-有限元法（FEM）：通过有限元法来求解电磁场问题，进而分析电流和电压分布。

2.3耦合分析

耦合分析是将热分析和电分析结合起来，考虑两者之间的相互影响。通常的方法包括：-顺序耦合：先进行电分析，得到热量分布，然后进行热分析。-双向耦合：电分析和热分析同时进行，相互迭代，直到达到收敛。

3.软件工具

3.1ANSYS

ANSYS是一个广泛用于多物理场耦合分析的软件工具，支持热-电耦合分析。以下是一个使用ANSYS进行热-电耦合分析的示例。

3.1.1建立模型

首先，建立一个简单的电子封装模型，包括一个功率MOSFET和一个散热器。

#导入ANSYS模块

importansys.mapdl.coreasmapdl

#连接ANSYS

mapdl=mapdl.launch_mapdl()

#创建几何模型

mapdl.prep7()#进入预处理模式

mapdl.et(1,BLOCK)#定义块单元

mapdl.et(2,HE80)#定义热单元

#创建MOSFET和散热器

mapdl.bloc(0,1,0,1,0,0.1)#创建MOSFET

mapdl.bloc(1,2,0,1,0,0.1)#创建散热器

#定义材料属性

mapdl.mp(DENS,1,2330)#MOSFET密度

mapdl.mp(DENS,2,7800)#散热器密度

mapdl.mp(EX,1,1.5E11)#MOSFET弹性模量

mapdl.mp(EX,2,2.1E11)#散热器弹性模量

mapdl.mp(KXX,1,150)#MOSFET热导率

mapdl.mp(KXX,2,400)#散热器热导率

#划分网格

mapdl.esize(0.1)#设置网格大小

mapdl.vmesh(ALL)#划分所有体积

3.1.2电分析

接下来，进行电分析，计算MOSFET的功率损耗。

#进入电分析模式

mapdl.slashsolu()#进入求解模式

mapdl.ansol(1,ELECT)#定义电分析

#设置边界条件

mapdl.nsel(S,LOC,X,0)#选择X=0的节点

mapdl.vdof(ALL,VX)#固定X方向位移

mapdl.nsel(S,LOC,X,1)#选择X=1的节点

mapdl.vdof(ALL,VX)#固定X方向位移

#应用电压和电流

mapdl.nsel(S,LOC,X,0.5)#选择X=0.5的节点

mapdl.vdof(ALL,VX)#固定X方向位移

mapdl.f(ALL,VX,10)#应用电压

mapdl.f(ALL,VX,1)#应用电流

#求解

mapdl.solve()#求