CuGaO2体材晶体结构优化与性质分析.docx

西安交通大学硕士学位论文

摘要

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摘要

CuGaO2是一种半导体化合物材料，具有两种同素异构体，分别为α-CuGaO2和β-CuGaO2，其中α-CuGaO2禁带宽度约为2.55eV，适用于p型透明电极，β-CuGaO2禁带宽度约为1.47eV，对太阳光的吸收效率比较高，因此比较适合作为薄膜太阳能电池的吸收层材料。然而β-CuGaO2的价带顶处的有效质量比较大，这就导致迁移率较低，造成其较低的导电率，因此通过等价掺杂的方式改善其导电率，进而改善其应用性能。

首先，论文利用VASP软件包通过第一性原理计算并研究α-CuGaO2和β-CuGaO2体材的结构、能带及有效质