半导体或芯片岗位招聘笔试题(某世界500强集团)2025年题库解析.pdfVIP

2025年招聘半导体或芯片岗位笔试题某（世界500强集

团）题库解析

一、单项选择题共（60题）

、在半导体物理学中，掺杂是指有意地向纯净的半导体材料中添加杂质原子，以

改变其电学性质。以下哪种元素通常用于N型掺杂？

A.硼

B.铝

C.磷

D.碳

答案：C）磷

解析：N型掺杂是通过引入具有比半导体材料多一个价电子的杂质元素来实现的，

这会使得额外的自由电子可以参与导电。磷是一种五价元素，在硅（四价元素）中加入

磷会导致多余的电子变得自由，从而形成N型半导体。

2、下列哪一项不是CMOS（互补金属氧化物半导体）技术的优点？

A.低静态功耗

B.高抗干扰能力

C.工作电压范围宽

D.较高的制造成本

答案：D）较高的制造成本

解析：CMOS技术以其低静态功耗、高抗干扰能刀和宽泛的工作电压范围而闻名。

与一些其他的制造工艺相比，CMOS的制造成本并不高，事实上，由于它可以集成更多

的晶体管并且拥有较低的功耗，因此它通常被认为是经济效益较高的选择。因此，“较

高的制造成本”并不是CMOS技术的优点。

3、在半导体制造过程中，以下哪种设备用于制造集成电路的基板(衬底)？

A.光刻机

B.刻蚀机

C.化学气相沉积(CVD)设备

D.离子注入机

答案：C

解析：化学气相沉积(CVD)设备用于在基板上沉积薄膜，制造集成电路的基板(衬

底)通常是由硅(Si)或错(Ge)等半导体材料制成，而CVD设备能够将这些材料沉积

在基板上形成薄膜，因此正确答案是C。

4、在半导体芯片制造过程中，以下哪种缺陷类型通常会导致芯片性能下降？

A.隐性缺陷

B.表面缺陷

C.晶体缺陷

D.超微缺陷

答案：C

解析：晶体缺陷是指半导体晶体内部的缺陷，如位错、空位等，这些缺陷会导致电

子在晶体中的传输受到阻碍，从而降低芯片的性能。因此，晶体缺陷是导致芯片性能下

降的常见缺陷类型，正确答案是C。

5、以下哪个选项不是常见的半导体材料？

A.硅

B.错

C.铜

D.珅化钱

答案：C）铜

解析:铜通常用于电路导线而非半导体材料。硅和储是两种广泛应用的半导体材料,

碑化钱也是一种重要的半导体材料。

6、在半导体制造过程中，下列哪个步骤属于光刻工艺的一部分？

A.溅射沉积

B.激光曝光

C.退火处理

D.化学气相沉积

答案：B）激光曝光

解析：激光曝光是光刻工艺中的关键步，通过使用激光照射掩模来在硅片上形成

所需的图案。溅射沉积、叱学气相沉积以及退火处理都是半导体制造中的其他步。

7、在半导体制造过程中，以下哪种工艺是用于形成集成电路中的金属互连层？

A.光刻

B.化学气相沉积

C.离子注入

D.化学机械抛光

答案：A

解析：光刻(Photolithography)是一种用于在半导体晶圆上形成图案的技术，通

过光刻可以将电路图案转移到硅片上，从而形成集成电路中的金属互连层。化学气相沉

积(ChemicalVaporDeposition,CVD)用于在硅片上形成绝缘层和导电层，离子注入

(IonImplantation)用于掺杂硅原子，化学机械抛光(ChemicalMechanical

Planarization,CMP)用于平坦化硅片表面。

8、以下哪项技术不属于半导体器件的测试方法？

A.信号完整性测试

B.功耗分析

C.热测试

D.频率响应测试

答案：B

解析：功耗分析(PowerAnalysis)是用于评估和优化半导体器件在运行过程中的

功耗的技术，属于设计阶段的重要考量因素。信号完整性测试(SignalInte