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高质量氮化铝薄膜的制备及Sc掺杂研究.pdf

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    摘要

    氮化铝（AlN）薄膜因其超宽禁带、高热导率和优异的压电性能，在航空航

    天和电子电力等领域展现出广阔的应用前景，但其制备和应用仍面临诸多挑战。

    晶格和热失配限制了在异质衬底上生长高质量全c轴取向AlN薄膜，成本昂贵

    的单晶衬底难以大规模应用。此外，纯AlN薄膜的压电系数偏低，影响其在MEMS

    器件中的性能。这些因素严重制约了本征AlN及AlScN薄膜的应用潜力。

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