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- 2026-01-06 发布于北京
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I.:
在本学期中,课堂上已经讲授了互补金属氧化物
(CMOS)的相关技术。在这个实验中,学生可以完成一个关于如
何设计CMOS逻辑门的具体练习。要完成此实验,学生应复些关
于版图设计的知识。本实验将包括每一块掩膜的细节、版图的制作、
设计规则、CMOS尺寸的计算以及NAND的设计文档。
II.简介:
因其低功耗和高性能价格比,如今已被广泛使用。CMOS
(互补金属氧化物)是中的主要成员,CMOS
与NMOS在结构上的区别在于CMOS由一个NMOS和一个PMOS
组成,而不是仅由单一的NMOS构成。就工作原理而言,NMOS
电路在NMOS作为晶体管工作时会消耗能量。而对于CMOS,
由于PMOS与NMOS的特性,无论工作状态如何,功耗都可以被
抑制。
本次设计练在让学生更深入地理解CMOS结构,并要求学
生学习如何自行设计全部7个掩膜版。
I.
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