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2025年（半导体材料）半导体材料试题及答案

分为第I卷（选择题）和第Ⅱ卷（非选择题）两部分，满分100分，考试时间90分钟。

第I卷（选择题共40分）

答题要求：请将正确答案的序号填在括号内。

一、选择题（每题2分，共20分）

1.以下哪种材料不属于半导体材料（）

A.硅B.锗C.铜D.砷化镓

2.半导体的导电性能介于（）之间。

A.导体和绝缘体B.超导体和导体C.绝缘体和超导体D.以上都不对

3.当温度升高时，半导体的导电能力（）

A.增强B.减弱C.不变D.先增强后减弱

4.杂质半导体中，P型半导体的多数载流子是（）

A.电子B.空穴C.离子D.中子

5.半导体二极管的主要特性是（）

A.放大作用B.滤波作用C.单向导电性D.稳压作用

6.下列哪种半导体器件具有开关特性（）

A.二极管B.三极管C.场效应管D.以上都是

7.半导体三极管工作在放大区时，其发射结和集电结的状态是（）

A.发射结正偏，集电结反偏B.发射结反偏，集电结正偏

C.发射结和集电结都正偏D.发射结和集电结都反偏

8.集成电路是采用（）工艺将晶体管、二极管等有源元件和电阻、电容等无源元件，按照一定的电路互连，“集成”在一块半导体单晶片上。

A.光刻B.蚀刻C.掺杂D.以上都是

9.以下哪种半导体材料常用于制造光电器件（）

A.硅B.锗C.磷化铟D.碳化硅

10.半导体材料的禁带宽度随着温度的升高而（）

A.增大B.减小C.不变D.先增大后减小

二、多项选择题（每题2分，共20分）

1.半导体材料的特性包括（）

A.热敏性B.光敏性C.掺杂性D.超导性

2.常见的半导体材料有（）

A.硅B.锗C.碳D.硼

3.杂质半导体分为（）

A.N型半导体B.P型半导体C.本征半导体D.化合物半导体

4.半导体二极管的类型有（）

A.普通二极管B.稳压二极管C.发光二极管D.光电二极管

5.半导体三极管按结构可分为（）

A.NPN型B.PNP型C.N型D.P型

6.场效应管的特点有（）

A.输入电阻高B.噪声低C.功耗低D.温度稳定性好

7.集成电路按功能可分为（）

A.数字集成电路B.模拟集成电路C.微波集成电路D.功率集成电路

8.制造半导体器件的主要工艺有（）

A.氧化B.光刻C.扩散D.外延

9.半导体材料在光电子领域的应用有（）

A.发光二极管B.激光二极管C.太阳能电池D.光电探测器

10.影响半导体材料性能的因素有（）

A.温度B.光照C.杂质D.压力

三、判断题（每题2分，共10分）

1.半导体材料都具有良好的导电性。（）

2.本征半导体中没有载流子。（）

3.半导体二极管正向偏置时导通，反向偏置时截止。（）

4.半导体三极管工作在饱和区时，发射结和集电结都正偏。（）

5.集成电路的集成度越高，性能越好。（）

第Ⅱ卷（非选择题共60分）

四、填空题（每题2分，共20分）

1.半导体材料是导电能力介于____和____之间的一类材料。

2.硅和锗的晶体结构是____。

3.杂质半导体中，N型半导体是在本征半导体中掺入____价杂质元素形成的。

4.半导体二极管由一个____和一个____组成。

5.半导体三极管有三个电极分别是____、____和____。

6.场效应管是利用____来控制漏极电流的。

7.集成电路是将____、____等有源元件和____、____等无源元件集成在一块半导体单晶片上。

8.制造半导体器件时，光刻工艺的作用是____。

9.半导体材料的光电效应可分为____和____。

10.半导体材料的主要应用领域包括____、____、____等。

五、简答题（每题5分，共20分）

1.简述半导体材料的热敏性。

___

2.说明杂质半导体中P型半导体和N型半导体的形成原理。

___

3.分析半导体二极管单向导电性的工作原理。

___

4.简述集成电路的优点。

___

六、讨论题（每题10分，共20分）

1.讨论半导体材料在现代电子技术中的重要性及发展趋势。

___

2.探讨如何提高半导体器件的性能和可靠性。

___

答案：

第I卷

一、选择题

1.C