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解析HVPE生长自支撑GaN衬底：特性、挑战与优化策略

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体领域，自支撑GaN衬底凭借其卓越的性能，正逐步成为推动新一代电子器件发展的关键材料。GaN作为第三代半导体材料的代表，具有宽禁带宽度、高击穿电场、高电子迁移率和高热导率等优异特性，使其在高频、高功率、高温以及光电子器件应用中展现出巨大潜力。例如，在5G通信基站的射频器件中，GaN基器件能够实现更高的工作频率和功率效率，有效提升信号传输速度和覆盖范围；在新能源汽车的电力电子系统里，基于GaN衬底的功率器件可以显著减小系统体积和重量，同时提高能源转换效率。

然而，高质量自支撑Ga