1.2.3 晶体管(课件）-高二《汽车电工电子基础》同步教学（西南交大出版社）.pptxVIP

1.2.3晶体管

1．晶体管的结构和符号

（1）结构

三区

三极

两结

集电区

基区

发射区

集电极Collector

基极Base

发射极Emitter

集电结

发射结

发射极E

基极B

集电极C

发射结

集电结

—基区

NPN型

—集电区

—发射区

PNP型

（2）符号

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2．晶体管的分类

3．晶体管的电流分配和放大原理

（1）晶体管放大条件

（2）载流子的传输过程

下面以NPN管为例讨论三极管的电流分配与放大作用，所得结论一样适用于PNP三极管。

使发射结正偏

使集电结反偏

1.发射区向基区发射电子，形成发射极电流IE的主要成份。

2.基区中电子的复合形成基极电流IB的主要成份。

3.集电区收集电子形成集电极电流IC的主要成份。

综上所述，得到三极管的电流分配关系：

1）IE=IC+IB

2）IC=βIB

3）IE=IC+IB=（1+β）IB≈IC

三极管中还有一些少子电流，比如ICBO，通常可以忽略不计，但它们对温度十分敏感。

（3）电流分配关系

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4．晶体管的特性曲线

因为三极管有三个电极，因此分别将三极管的三个电极作为输入端、输出端和公共端，有三种不同的三极管放大电路的组成方式。

根据公共电极的不同，分别叫做共发射极电路、共集电极电路和共基极电路。

下图是测试三极管共发射极电路伏安特性曲线的电路图：

uCE≧1V，集电结反偏，电场足以将发射区扩散到基区的载流子吸收到集电区形成IC，uCE再增大曲线也几乎不变

死区电压与导通电压UBE

硅管分别约为0.5V和0.7V

锗管分别约为0.1V和0.3V

（1）输入特性曲线

（1）截止区——iB=0曲线以下的区域：

iC=ICEO≈0，两结均反偏，三极管各电极电流均约等于0，所以可以等效为断开的开关；

放

大

区

（2）放大区——在iB=0的特性曲线上方，近似平行于横轴的曲线族部分：

iC基本不随uCE变化仅受iB控制，iC=βiB，发射结正偏、集电结反偏，相当于受控电流源。

（3）饱和区——输出特性曲线近似直线上升部分：

三极管饱和时管压降uCE很小，叫做饱和压降uCES，两结均正偏，相当于闭合开关。

（2）输出特性曲线

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5．晶体管的主要参数

（2）集-射极反向穿透电流

（1）电流放大倍数

（3）集-射极反向击穿电压

（4）集电极最大允许电流

（5）集电极最大允许耗散功耗