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表面改性调控ZnO纳米晶结构对紫外光电导性能的影响研究
一、引言
1.1研究背景与意义
在当今科技飞速发展的时代,纳米材料因其独特的物理化学性质,在众多领域展现出巨大的应用潜力,成为了科研领域的研究热点。其中,ZnO纳米晶作为一种重要的宽禁带半导体材料,凭借其室温下高达3.37eV的禁带宽度和60meV的激子束缚能,在光电器件领域占据着举足轻重的地位。
在紫外探测器方面,ZnO纳米晶对紫外线具有敏锐的响应特性,能够快速、准确地将紫外线信号转化为电信号,为环境监测、生物医学检测等领域提供了关键的检测手段。例如,在环境监测中,可用于实时监测紫外线强度,为人们的日常生活和工业生产提供
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