1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 电子工程/通信技术
  5. 电子设计

集成电路制造工艺 课件 5.6 离子注入的损伤与退火.pptx

集成电路制造工艺 课件 5.6 离子注入的损伤与退火.pptx

    1. 1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
    2. 2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
    3. 3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
    查看更多

    集成电路制造工艺

    --离子注入机的损伤与退火

    单位：江苏信息职业技术学院

    微电子教研室

    第五章掺杂

    第五章掺杂

    §5.6离子注入损伤与退火工艺

    消除晶格损伤

    撞离错位的硅原子重新回到晶格位置。

    激活杂质

    杂质取代硅原子占据晶格点，成为施、受主杂质。

    一、退火的作用：

    高温热退火：

    用高温炉把硅片加热至800-1000℃并保持30分钟

    特点：方法简单，设备兼容，但高温长时间易导致杂质的再扩散

    快速热退火

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    lai + 关注
    实名认证
    内容提供者

    精品资料

    咨询Ta 进入空间
    版权声明书
    用户编号：7040145050000060

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >