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集成电路制造工艺
--清洗技术单位:江苏信息职业技术学院微电子教研室
第九章洁净技术洁净设备清洗技术洁净技术等级标准纯水制备本章要点
第九章洁净技术洁净设备清洗技术洁净技术等级标准纯水制备本章要点
§9.3清洗技术沾污可能来源影响颗粒设备、环境、气体、去离子水、化学试剂氧化层低击穿、成品率低,图形有缺陷有机残余物室内空气、光刻胶、容器、化学试剂栅极氧化物耐压不良,氧化速率改变,CVD膜和氧化膜产生偏差金属离子设备、化学试剂、反应离子刻蚀、人栅极氧化膜耐压劣化,造成氧化层击穿、PN结反向漏电增大、少数载流子寿命缩短、阈值电压偏移自然氧化层环境湿气、去离子水冲洗栅氧化层耐压
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