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集成电路制造工艺
--CMOS结构及工作原理;第十章CMOS集成电路制造工艺;第十章CMOS集成电路制造工艺;§10.1CMOS反相器结构;;P阱结构;特点：N沟道的器件是在P型衬底上制成，与标准的NMOS器件工艺兼容，P沟道晶体管同样会受过渡掺杂的影响。;特点：在轻掺杂的衬底中分别注入不同类型的杂质，可以对每个阱区的杂质分别独立地进行控制，优化N和P沟的器件性能;CMOS电路的隔离----LOCOS工艺;工艺特点：同时解决了器件隔离和寄生器件形成两个问题，当采用等平面氧化工艺时，可以获得近乎平坦的表面。
存在的问题：会有“鸟嘴”问题，会减小器件的有效宽度，从而减小了晶体管的驱
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