（集成电路）半导体器件物理试题及答案.docVIP

2025年（集成电路）半导体器件物理试题及答案

分为第I卷（选择题）和第Ⅱ卷（非选择题）两部分，满分100分，考试时间90分钟。

第I卷（选择题共40分）

答题要求：请将正确答案的序号填在括号内。

1.半导体中参与导电的载流子是（）

A.电子B.空穴C.电子和空穴D.离子

答案：C

2.杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）

A.温度B.杂质浓度C.光照D.电场强度

答案：B

3.当PN结外加正向电压时，扩散电流（）漂移电流。

A.大于B.小于C.等于D.不确定

答案：A

4.二极管的反向电流随温度的升高而（）

A.增大B.减小C.不变D.无规律变化

答案：A

5.三极管工作在放大区时，发射结处于（）偏置，集电结处于（）偏置。

A.正向，正向B.正向，反向C.反向，正向D.反向，反向

答案：B

6.场效应管是利用（）来控制漏极电流的。

A.栅源电压B.漏源电压C.栅极电流D.漏极电流

答案：A

7.集成运算放大器的输入级通常采用（）电路。

A.共发射极B.共集电极C.差动放大D.功率放大

答案：C

8.半导体存储器中，随机存取存储器的英文缩写是（）

A.ROMB.RAMC.EPROMD.EEPROM

答案：B

9.数字电路中，高电平用（）表示。

A.0B.1C.-1D.+1

答案：B

10.逻辑函数F=A+AB的化简结果是（）

A.AB.BC.ABD.A+B

答案：A

11.以下哪种不是半导体材料（）

A.硅B.锗C.铜D.砷化镓

答案：C

12.半导体的导电能力介于（）之间。

A.导体和绝缘体B.超导体和导体C.超导体和绝缘体D.以上都不对

答案：A

13.本征半导体中自由电子浓度和空穴浓度（）

A.相等B.自由电子浓度大C.空穴浓度大D.不确定

答案：A

14.当PN结外加反向电压时，空间电荷区（）

A.变窄B.变宽C.不变D.消失

答案：B

15.稳压二极管正常工作时处于（）

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿D.以上都不对

答案：C

16.三极管的电流放大倍数β等于（）

A.Ic/IbB.Ib/IcC.Ie/IbD.Ib/Ie

答案：A

17.场效应管的输入电阻（）

A.较小B.很大C.为零D.不确定

答案：B

18.集成运算放大器的输出级通常采用（）电路。

A.共发射极B.共集电极C.差动放大D.功率放大

答案：D

19.只读存储器的英文缩写是（）

A.ROMB.RAMC.EPROMD.EEPROM

答案：A

20.逻辑函数F=A(A+B)的化简结果是（）

A.AB.BC.ABD.A+B

答案：A

第Ⅱ卷（非选择题共60分）

（一）填空题（共10分，每题2分）

1.半导体中的两种载流子是____和____。

答案：电子、空穴

2.PN结具有____特性。

答案：单向导电性

3.三极管的三个工作区域是____、____和____。

答案：放大区、饱和区、截止区

4.场效应管可分为____和____两大类。

答案：结型场效应管、绝缘栅型场效应管

5.数字电路中最基本的逻辑门是____、____、____和____。

答案：与门、或门、非门、与非门

（二）简答题（共20分，每题5分）

1.简述半导体导电的基本原理。

u半导体中存在两种载流子电子和空穴。在一定条件下，电子和空穴会产生定向移动形成电流。当有外加电场时，电子逆电场方向移动，空穴顺电场方向移动，从而实现导电。/u

2.说明PN结正向偏置和反向偏置时的电流情况。

u正向偏置时，外电场削弱内电场，扩散电流大于漂移电流，形成较大的正向电流。反向偏置时，外电场增强内电场，漂移电流大于扩散电流，反向电流很小。/u

3.简述三极管放大作用的外部条件。

u三极管放大作用的外部条件是发射结正向偏置，集电结反向偏置。这样才能使发射区的多数载流子顺利注入基区，并在集电结的作用下形成较大的集电极电流。/u

4.简述集成运算放大器的主要特点。

u集成运算放大器具有高增益、高输入电阻、低输出电阻、良好的频率特性等特点。能对微弱信号进行放大、运算和处理，广泛应用于各种电子电路中。/u

（三）分析