Ⅲ族氮化物半导体极化场调控：原理、方法与应用进展.docx

Ⅲ族氮化物半导体极化场调控：原理、方法与应用进展

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体材料的发展历程中，III族氮化物半导体凭借其独特的性能优势，逐渐成为了研究的焦点与热点。III族氮化物半导体主要包含氮化铝（AlN）、氮化镓（GaN）、氮化铟（InN）及其三元合金如铝镓氮（AlGaN）、铟镓氮（InGaN）等。这些材料具有宽禁带、高电子迁移率、高热导率、高击穿电场等卓越的物理性质，在光电子、电力电子、射频电子等众多领域展现出了巨大的应用潜力，成为推动现代科技进步的关键材料之一。

从光电子领域来看，III族氮化物半导体的直接带隙特性使其在发光二极管（LED）、激光二极管（LD）等器