（集成电路科学与工程-光刻工艺实战）光刻工艺应用实战试题及答案.docVIP

2025年（集成电路科学与工程-光刻工艺实战）光刻工艺应用实战试题及答案

第I卷（选择题共40分）

答题要求：请将每小题的正确答案填在括号内。每小题2分，共40分。

1.光刻工艺的核心步骤不包括以下哪一项（）

A.光刻胶涂覆B.曝光C.蚀刻D.显影

2.光刻工艺中，用于将光刻胶均匀涂覆在晶圆表面的设备是（）

A.光刻机B.涂胶机C.刻蚀机D.清洗机

3.光刻工艺中，曝光的目的是（）

A.使光刻胶固化B.去除光刻胶C.改变晶圆表面性质D.以上都不对

4.以下哪种光刻技术常用于大规模集成电路制造（）

A.紫外光刻B.电子束光刻C.X射线光刻D.离子束光刻

5.光刻胶的主要成分不包括（）

A.聚合物B.光引发剂C.溶剂D.金属

6.光刻工艺中，显影的作用是（）

A.去除未曝光的光刻胶B.增强光刻胶附着力C.使光刻胶变色D.以上都不对

7.光刻机的光源波长越短，其光刻分辨率（）

A.越高B.越低C.不变D.不确定

8.光刻工艺中，用于监测光刻胶厚度的设备是（）

A.椭偏仪B.显微镜C.光谱仪D.硬度计

9.以下哪种光刻胶适用于深紫外光刻（）

A.正性光刻胶B.负性光刻胶C.化学增幅光刻胶D.电子束光刻胶

10.光刻工艺中，光刻胶的曝光剂量与哪些因素有关（）

A.光源强度B.曝光时间C.光刻胶类型D.以上都是

11.光刻工艺中，为了提高光刻分辨率，可以采取以下哪种措施（）

A.增大光源波长B.减小光刻胶厚度C.提高光刻胶感光度D.以上都不对

12.光刻工艺中，光刻胶的烘烤温度过高可能会导致（）

A.光刻胶固化不完全B.光刻胶与晶圆附着力下降C.光刻胶变色D.以上都不对

13.光刻工艺中，用于去除光刻胶的方法不包括（）

A.湿法刻蚀B.干法刻蚀C.等离子体刻蚀D.激光烧蚀

14.光刻工艺中，光刻胶的选择需要考虑以下哪些因素（）

A.光刻分辨率要求B.曝光波长C.显影液类型D.以上都是

15.光刻工艺中，光刻机的对准精度对光刻质量有重要影响，以下哪种对准方式精度最高（）

A.预对准B.粗对准C.精对准D.自动对准

16.光刻工艺中，光刻胶的储存条件一般要求（）

A.低温干燥B.高温潮湿C.常温常压D.无所谓

17.光刻工艺中，曝光后光刻胶的图形质量与以下哪些因素有关（）

A.光刻胶的均匀性B.曝光的均匀性C.显影的均匀性D.以上都是

18.光刻工艺中，为了防止光刻胶在显影过程中出现浮胶现象，可以采取以下哪种措施（）

A.增加显影时间B.降低显影液浓度C.提高光刻胶附着力D.以上都不对

19.光刻工艺中，光刻胶的曝光能量分布不均匀可能会导致（）

A.光刻图形变形B.光刻分辨率下降C.光刻胶残留D.以上都是

20.光刻工艺中，用于检查光刻图形质量的设备不包括（）

A.扫描电子显微镜B.光学显微镜C.原子力显微镜D.硬度计

答案：1.C2.B3.A4.A5.D6.A7.A8.A9.C10.D11.B12.B13.D14.D15.C16.A17.D18.C19.D

20.D

第II卷（非选择题共60分）

二、填空题（共10题，每题2分，共20分）

1.光刻工艺主要包括光刻胶涂覆、____、显影和光刻胶去除等步骤。

2.光刻胶按其对光的反应特性可分为正性光刻胶和____光刻胶。

3.光刻机的光源主要有紫外光源、____光源和X射线光源等。

4.光刻工艺中，光刻胶的厚度一般控制在____微米左右。

5.光刻工艺中，曝光的方式主要有接触式曝光、____曝光和投影式曝光等。

6.光刻工艺中，显影液的类型主要有碱性显影液和____显影液等。

7.光刻工艺中，光刻胶的固化温度一般在____摄氏度左右。

8.光刻工艺中，光刻胶的感光度越高，所需的曝光剂量____。

9.光刻工艺中，光刻胶的分辨率主要取决于光刻胶的____和曝光波长等因素。

10.光刻工艺中，为了提高光刻质量，需要对光刻胶进行____处理。

答案：1.曝光2.负性3.电子束4.15.接近式6.酸性7.1008.越低9.分子结构10.烘烤

三、简答题（共4题，每题5分，共20分）

1.简述光刻工艺