功率器件封装用纳米铜膏技术要求编制说明.docxVIP

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  • 2026-01-05 发布于上海
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功率器件封装用纳米铜膏技术要求编制说明.docx

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《功率器件封装用纳米铜膏技术要求》团体标准编制说明(征求意见稿)

一、工作简况

1.1工作任务来源

第三代半导体由于其高温高频率的工作环境,极容易造成界面损伤,因此对封装材料提出了更高要求。而功率器件封装用纳米铜膏纳米铜颗粒具有优异的电导率和热导率,热导率可达200W/(m·K)以上,是传统锡膏及瞬态液相烧结材料的3-5倍,能有效降低功率器件的热阻,

提升散热效率。可在200-300℃的低温下实现烧结连接,烧结后能在高温环境下稳定工作。而且由于铜的化学稳定性高,不易发生电迁移现象,可确保功率器件在高电流密度下的长期可靠性。因此功率器件封装用纳米铜膏是一种被广泛应用于第三

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