（集成电路设计与集成系统）芯片制造技术试题及答案.docVIP

2025年（集成电路设计与集成系统）芯片制造技术试题及答案

分为第I卷（选择题）和第Ⅱ卷（非选择题）两部分，满分100分，考试时间90分钟。

第I卷（选择题共40分）

答题要求：请将正确答案的序号填在括号内。

1.集成电路制造中，光刻的主要作用是（）

A.定义晶体管的尺寸和形状

B.进行掺杂

C.形成金属互连

D.制造绝缘层

答案：A

2.以下哪种材料常用于CMOS集成电路的栅极（）

A.硅

B.二氧化硅

C.多晶硅

D.金属铜

答案：C

3.芯片制造中，离子注入的目的是（）

A.改变半导体的导电类型

B.提高芯片的集成度

C.改善光刻效果

D.增强芯片散热

答案：A

4.集成电路制造中，化学气相沉积（CVD）主要用于（）

A.制造有源器件

B.形成绝缘层和半导体薄膜

C.进行光刻胶涂覆

D.芯片封装

答案：B

5.目前先进的集成电路制程工艺节点一般是（）

A.1nm

B.5nm

C.10nm

D.20nm

答案：B

6.以下哪种光刻技术可以实现更高的分辨率（）

A.紫外光刻

B.深紫外光刻

C.极紫外光刻

D.可见光光刻

答案：C

7.在CMOS工艺中，源漏区的形成通常采用（）

A.热氧化

B.离子注入和扩散

C.光刻胶去除

D.化学机械抛光

答案：B

8.芯片制造中，用于平坦化工艺的是（）

A.化学气相沉积

B.光刻

C.化学机械抛光

D.离子注入

答案：C

9.集成电路制造中，金属互连层的材料通常不包括（）

A.铝

B.铜

C.金

D.硅

答案：D

10.以下哪个环节不属于芯片制造的前端工艺（）

A.光刻

B.封装

C.掺杂

D.氧化

答案：B

11.集成电路制造中，外延生长是为了（）

A.改善芯片表面平整度

B.形成高质量的半导体薄膜

C.进行光刻对准

D.制造金属互连

答案：B

12.目前主流的CMOS集成电路中，P沟道晶体管的阈值电压通常（）

A.大于N沟道晶体管

B.小于N沟道晶体管

C.等于N沟道晶体管

D.与N沟道晶体管无关

答案：A

13.芯片制造中，干法刻蚀相对于湿法刻蚀的优点不包括（）

A.更高的分辨率

B.更好的选择性

C.对环境要求低

D.成本更低

答案：D

14.集成电路制造中，用于检测芯片缺陷的技术是（）

A.光刻

B.电子束曝光

C.扫描电子显微镜

D.化学气相沉积

答案：C

15.以下哪种技术有助于提高芯片的集成度（）

A.缩小晶体管尺寸

B.增加芯片面积

C.降低工作电压

D.提高时钟频率

答案：A

16.在芯片制造中，退火工艺的作用是（）

A.消除光刻胶

B.修复晶体缺陷

C.进行掺杂

D.形成绝缘层

答案：B

17.集成电路制造中，光刻胶的曝光方式不包括（）

A.接触式曝光

B.接近式曝光

C.投影式曝光

D.反射式曝光

答案：D

18.芯片制造中，用于制造浅沟槽隔离（STI）的工艺是（）

A.光刻和刻蚀

B.离子注入

C.化学气相沉积

D.热氧化

答案：A

19.目前，提高集成电路性能的关键技术不包括（）

A.提高芯片功耗

B.减小晶体管尺寸

C.优化互连结构

D.改进制造工艺

答案：A

20.集成电路制造中，用于制造多层金属互连的技术是（）

A.光刻和刻蚀

B.化学机械抛光

C.化学气相沉积

D.以上都是

答案：D

第Ⅱ卷（非选择题共60分）

21.简答题：简述光刻工艺的基本流程。

_

光刻工艺基本流程：首先在芯片表面涂覆光刻胶，然后通过光刻设备将掩膜版上的图形转移到光刻胶上，接着进行显影，去除未曝光的光刻胶，最后通过刻蚀工艺将光刻胶上的图形转移到芯片表面的薄膜或半导体层上。_

22.简答题：说明CMOS集成电路中N沟道晶体管和P沟道晶体管的工作原理。

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N沟道晶体管工作时，当栅极电压高于阈值电压，在栅极下方形成导电沟道，源极和漏极之间通过沟道导通，电子从源极流向漏极。P沟道晶体管工作时，当栅极电压低于阈值电压，在栅极下方形成导电沟道，源极和漏极之间通过沟道导通，空穴从源极流向漏极。_

23.简答题：阐述芯片制造中掺杂工艺的重要性及常用的掺杂方法。

_

掺杂工艺重要性在于改变半导体的导电类型和电导率等电学性能，从而制造出各种有源器件。常用掺杂方法有离子注入，将杂质离子注入到半导体中；扩散，通过高温使杂质原子在半导体中扩散分布。_

24.讨论题：随着集成电路制程工艺不断缩小尺寸，会面临哪些挑战？

_

随着制程工艺缩小尺寸，会面临诸多挑战。如光刻分辨率极限问题，更小尺寸对光刻技术要求更高；