CN114127900B 用于形成焊料凸块的系统和方法 （国际商业机器公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN114127900B(45)授权公告日2025.07.01

(21)申请号202080051084.5

(22)申请日2020.06.17

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN114127900A

(43)申请公布日2022.03.01

(30)优先权数据

16/523,6202019.07.26US

(85)PCT国际申请进入国家阶段日2022.01.13

(86)PCT国际申请的申请数据

PCT/EP2020/0668032020.06.17

(87)PCT国际申请的公布数据

WO2021/018466EN2021.02.04

(73)专利权人国际商业机器公司地址美国纽约阿芒克

(72)发明人E.P.莱万多夫斯基J-W.纳赫姚正邦P.J.索斯

(74)专利代理机构北京市柳沈律师事务所

11105专利代理师王蕊瑞

(51)Int.CI.

H01L21/48(2006.01)

H10N60/01(2023.01)

H10N60/80(2023.01)

H10N60/82(2023.01)

H10N60/10(2023.01)

(56)对比文件

CN101454885A,2009.06.10

CN109997156A,2019.07.09

审查员温馨

(54)发明名称

用于形成焊料凸块的系统和方法

(57)摘要

一种形成焊料凸块的方法，所述方法包括：制备转移模具，所述转移模具具有从模具衬底延伸并且穿过第一光致抗蚀剂层的焊料柱，所述焊料柱具有由第二光致抗蚀剂层部分地限定的形状，其中所述转移模具的所述制备包括去除所述第二光致抗蚀剂层的至少一部分；将器件衬底构造成包括可润湿焊盘；将所述转移模具与所述器件衬底对准，使得所述焊料柱与所述可润湿焊盘对准；在所述焊料柱与所述可润湿焊盘之间形成金属结合；以及去除模具衬底和第一光致抗蚀剂

CN114127900

CN114127900B

CN114127900B权利要求书1/2页

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1.一种形成焊料凸块的方法，所述方法包括：

制备转移模具，所述转移模具具有从模具衬底延伸并且穿过第一光致抗蚀剂层的焊料柱，所述焊料柱具有由第二光致抗蚀剂层部分地限定的形状，其中所述转移模具的所述制备包括去除所述第二光致抗蚀剂层的至少一部分；

将器件衬底构造成包括可润湿焊盘；

将所述转移模具与所述器件衬底对准，使得所述焊料柱与所述可润湿焊盘对准；

在所述焊料柱与所述可润湿焊盘之间形成金属结合；以及

去除模具衬底和第一光致抗蚀剂层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一光致抗蚀剂层包含永久光致抗蚀剂材料，并且所述第二光致抗蚀剂层包含可剥离光致抗蚀剂材料。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述转移模具的制备包括形成以下中的至少一个：

在模具衬底上方的润湿层；

位于所述模具衬底上的籽晶层；以及

在所述第二光致抗蚀剂层上的非润湿层。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述模具衬底是柔性的，并且所述转移模具的制备包括将所述转移模具形成为柔性转移模具。

5.根据权利要求1所述的方法，进一步包括形成穿过所述器件衬底的孔。

6.根据权利要求5所述的方法，进一步包括将内插器附接到量子位半导体器件上，其中所述量子位半导体器件包括约瑟夫逊结，并且其中所述内插器附接到所述量子位半导体器件上包括将穿过所述内插器的所述孔与所述约瑟夫逊结对齐，以便提供用于访问所述约瑟夫逊结的路径。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述焊料柱是围绕所述量子位半导体器件与所述内插器之间的所述孔形成的用于提供所述约瑟夫逊结的热隔离量的多个焊料柱中的一个。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述器件衬底包括有机衬底，并且进一步包括形成穿过所述器件衬底的孔。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述焊料柱是所述转移模具的多个焊料柱中的一个，并且其中，所述多个焊料柱包括具有第一直径的第一焊料柱和具有第二直径的第二焊料柱，所述第一直径大于所述第二直径。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述器件衬底包括半导体衬底，并且所述方法进一步包括在所述半导体衬底中形成深凹部。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述半导体衬底包括在所述深凹部中的电路组件。

12.根据权利要