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掺杂碲镉汞中长波红外发光与吸收谱特性及影响因素探究

一、引言

1.1研究背景与意义

在红外探测领域，掺杂碲镉汞凭借其卓越的性能占据着极为重要的地位。碲镉汞（HgCdTe）是一种直接带隙的三元化合物半导体材料，其禁带宽度可随Cd组分x在0-1.6eV范围内连续调节，这一特性使其能够覆盖从短波、中波、长波到甚长波的整个红外波段。通过掺杂特定元素，可以精确调控碲镉汞的电学和光学性质，极大地优化其在红外探测器中的应用性能。

对于中长波红外探测而言，掺杂碲镉汞是不可或缺的关键材料。在军事领域，中长波红外探测器被广泛应用于目标探测、跟踪与识别。长波红外探测器能够探测到物体发出的微弱热辐射，在夜间或恶劣天气条件下，可清晰地识别出敌方的军事装备、人员活动等目标，为军事行动提供重要的情报支持。在民用领域，掺杂碲镉汞制成的中长波红外探测器在安防监控、工业检测、医学诊断、环境监测等方面发挥着重要作用。在安防监控中，它可以实时监测建筑物周边的人员和车辆活动，及时发现潜在的安全威胁；在工业检测中，能检测设备的温度异常，预防设备故障；在医学诊断中，可辅助医生检测人体的疾病；在环境监测中，可用于监测大气污染、森林火灾等。

研究掺杂碲镉汞的发光和吸收谱对优化器件性能具有关键意义。材料的发光和吸收谱是其内部电子跃迁过程的外在表现，深入研究这些光谱特性，可以揭示掺杂原子与碲镉汞基质之间的相互作用机制，了解载流子的产生、复合和传输过程。通过对不同掺杂元素及浓度下的发光和吸收谱进行研究，能够精准确定最佳的掺杂方案，从而提高探测器的量子效率，使其能够更有效地吸收红外光子并产生电信号，进而提高探测器的灵敏度，增强对微弱红外信号的探测能力，降低噪声水平，提高探测器的信噪比，最终提升探测器的整体性能，满足日益增长的红外探测应用需求。

1.2国内外研究现状

国外在掺杂碲镉汞中长波红外发光和吸收谱的研究方面起步较早，取得了丰硕的成果。美国、法国、德国等国家的科研机构和企业在这一领域处于领先地位。美国Teledyne公司基于双层异质结（DLHJ）技术，对p-on-n结构的掺杂碲镉汞进行了深入研究，制备出了高性能的长波、甚长波碲镉汞红外焦平面器件。他们通过精确控制掺杂工艺和材料生长条件，实现了对器件暗电流的有效抑制，提高了器件的响应率和探测率。法国SOFRADIR、CEA/LETI公司及实验室也在p-on-n焦平面器件的研究上取得了显著进展，制备出的器件暗电流低，响应率高，长波甚长波器件的噪声等效温差（NETD）均在30mK以内。德国AIM公司采用Au掺杂P型碲镉汞开发了基于n-on-p结构的碲镉汞高工作温度器件，第一代中波碲镉汞HOT器件工作温度达140K，通过研究Au掺杂对材料发光和吸收谱的影响，有效提升了器件的性能。

国内相关研究近年来也取得了长足的进步。昆明物理研究所多年来持续开展对Au掺杂碲镉汞材料、器件结构设计、可重复的工艺开发等研究，突破了Au掺杂碲镉汞材料电学可控掺杂、器件暗电流控制等关键技术，将n-on-p型碲镉汞长波器件品质因子（R0A）从31.3Ω?cm2提升到了363Ω?cm2（λcutoff=10.5μm@80K），器件暗电流较本征汞空位n-on-p型器件降低了一个数量级以上。该研究所还利用步进式扫描傅里叶红外调制光致发光（FTIR-PL）测试仪对不同退火条件下的掺In碲镉汞材料进行变温测试，结合霍尔测试结果，分析了由温度变化导致的能级位置变化以及不同退火条件处理后碲镉汞材料的发光峰强度和位置的变化。中电科光电科技有限公司通过对p-on-n型碲镉汞材料生长及芯片制备工艺进行优化，制备出像元中心距25μm、阵列规格640×512的甚长波碲镉汞芯片及微型杜瓦组件样品，在65K的工作温度下，该器件的截止波长为14.35μm，有效像元率为98.06％，平均峰值探测率为8.09×101?cm?Hz1/2/W。

然而，当前研究仍存在一些不足与空白。在掺杂机制方面，虽然对一些常见掺杂元素（如Au、In、As等）的作用有了一定的认识，但对于多种元素共掺杂以及复杂掺杂体系下的微观机制研究还不够深入，难以实现对材料性能的精准调控。在光谱研究方面，对于中长波红外波段的发光和吸收谱的精细结构以及与器件性能之间的定量关系研究还不够完善，缺乏系统的理论模型来解释实验现象。在器件制备工艺方面，如何实现掺杂浓度的均匀分布以及提高材料的晶体质量，以进一步降低器件的暗电流和噪声，仍然是亟待解决的问题。

1.3研究内容与方法

本研究的主要内容包括以下几个方面：一是研究不同掺杂元素（如Au、I