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PVD工艺试卷及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题（每题2分，共20分）

1.下列哪种物理气相沉积（PVD）方法主要利用高能粒子轰击靶材表面，使靶材原子或分子溅射出来沉积到基板上？

A.蒸发沉积

B.辉光放电沉积

C.离子辅助沉积

D.化学气相沉积

2.在磁控溅射中，引入磁场的主要目的是？

A.提高基板温度

B.增强等离子体密度

C.加速二次电子运动，提高溅射效率

D.降低工作气压

3.真空镀膜工艺中，达到所需真空度的主要目的是？

A.提供足够的反应气体

B.防止空气中的灰尘和杂质污染薄膜

C.降低设备运行成本

D.增强等离子体放电效果

4.以下哪种材料通常不作为PVD的靶材材料？

A.钛（Ti）

B.铝（Al）

C.氮化硅（Si?N?）

D.镍（Ni）

5.在PVD薄膜沉积过程中，影响薄膜晶体质量的工艺参数通常不包括？

A.基板温度

B.靶材纯度

C.沉积速率

D.基板偏压

6.薄膜与基板之间的结合力被称为？

A.薄膜厚度

B.薄膜致密度

C.附着力

D.薄膜硬度

7.以下哪种PVD工艺通常能获得较高沉积速率？

A.热蒸发

B.等离子体增强溅射（PlasmaEnhancedSputtering,PES）

C.脉冲激光沉积（PLD）

D.电子束蒸发

8.PVD沉积的硬质薄膜，如类金刚石碳膜（DLC），其主要优点通常不包括？

A.高硬度

B.良好的化学惰性

C.优异的耐磨性

D.高透光率（特定条件下）

9.在半导体工业中，PVD技术常用于沉积金属互连线，其主要要求是？

A.高导电率

B.高熔点

C.良好的抗氧化性

D.上述所有

10.以下哪项不是PVD工艺常见的缺陷？

A.针孔

B.氧化层

C.膜层开裂

D.沉积不均匀

二、填空题（每空1分，共15分）

1.物理气相沉积（PVD）技术主要利用________等物理过程，将物质从固态源转化为气态并沉积到基板上。

2.磁控溅射技术通过引入________来扩展等离子体工作范围，从而提高溅射效率。

3.PVD工艺通常需要在________环境下进行，以减少气体杂质对薄膜质量的干扰。

4.影响PVD薄膜附着力的重要因素包括________、________和工艺参数控制。

5.离子辅助沉积（IAD）是在PVD过程中引入________，对沉积的薄膜进行额外轰击，以提高附着力、改善结晶质量等。

6.常用的PVD靶材根据其组成可分为________靶材和________靶材。

7.薄膜的硬度是指其抵抗________能力的物理量。

8.为了获得良好的PVD膜层均匀性，需要合理设计真空室结构、控制________和优化________。

9.PVD技术按沉积能量来源可分为________沉积和________沉积。

10.PVD薄膜在光学领域的一个典型应用是制备具有特定透光或反射率的________。

三、判断题（每题1分，共10分，正确的划“√”，错误的划“×”）

1.热蒸发沉积是一种物理气相沉积方法，其原理是利用高温使源材料熔化并蒸发。（）

2.PVD沉积的薄膜厚度通常可以通过调节工作气压来精确控制。（）

3.磁控溅射相比热蒸发，具有更高的沉积速率和更好的膜层均匀性。（）

4.薄膜的附着力通常随沉积速率的增加而提高。（）

5.离子辅助沉积（IAD）本质上是一种化学反应沉积过程。（）

6.所有的PVD薄膜都具有高导电性。（）

7.PVD技术可以沉积各种金属、合金、陶瓷以及类金刚石等非晶材料。（）

8.沉积过程中基板温度的升高通常会降低薄膜的附着力。（）

9.为了提高沉积速率，PVD工艺的工作气压通常设置得尽可能高。（）

10.PVD薄膜的硬度与其耐磨性成正比关系。（）

四、简答题（每题5分，共20分）

1.简述磁控溅射的基本工作原理及其主要优点。

2.简述影响PVD薄膜附着力的主要因素及改善附着力常用的方法。

3.简述PVD工艺中真空系统的主要作用和基本要求。

4.简述PVD技术在电子工业中有哪些主要应用领域。

五、论