CN110583462B 智能温室工业大麻无土栽培与藏红花套种的方法 （加美工业大麻生物科技(黑龙江)有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN110583462B公告日2021.08.31

(21)申请号201911018844.8

(22)申请日2019.10.24

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN110583462A

(43)申请公布日2019.12.20

(73)专利权人加美工业大麻生物科技(黑龙江)有限公司

地址163000黑龙江省大庆市红岗区萨大

中路南732号

(72)发明人张军于天宇马忠英

(74)专利代理机构哈尔滨市松花江专利商标事务所23109

代理人岳泉清

(51)Int.CI.

A01G31/00(2018.01)

审查员孙建辉

权利要求书1页说明书2页

(54)发明名称

智能温室工业大麻无土栽培与藏红花套种的方法

(57)摘要

CN110583462B智能温室工业大麻无土栽培与藏红花套种的方法，本发明涉及工业大麻套种领域。本发明要解决现有智能温室种植时需要稀疏种植，造成智能温室空间的浪费，导致工业大麻成本高的技术问题。方法：一、在智能温室中，采用高架苗床种植工业大麻；二、在每行相邻大麻苗之间种植多棵藏红花，在相邻行之间种植多棵藏红花；三、按照工业大麻的培养方式进行浇水和喷施肥料。本发明种植方法既有效的利用了空间又得到了收益，还能达到植物间生存条件的互补，杜绝了浪费，保护了环境。经验证，本发明方法每667平

CN110583462B

CN110583462B权利要求书1/1页

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1.智能温室工业大麻无土栽培与藏红花套种的方法，其特征在于该方法具体按以下步骤进行：

一、在智能温室中，采用高架苗床种植工业大麻，控制行间距为0.95～1.05m,每行苗间距为0.95～1.05m;

二、在每行相邻大麻苗之间种植多棵藏红花，在相邻工业大麻种植行之间种植多棵藏红花；

三、按照工业大麻的培养方式同时对种植的工业大麻和藏红花进行浇水和喷施肥料，完成智能温室工业大麻无土栽培与藏红花套种的方法。

2.根据权利要求1所述的智能温室工业大麻无土栽培与藏红花套种的方法，其特征在于步骤一中高架苗床的高度为70cm,宽度为2m,长度为9.5～10.2m。

3.根据权利要求1所述的智能温室工业大麻无土栽培与藏红花套种的方法，其特征在于步骤一中工业大麻行间距为1.0m,每行苗间距为1.0m。

4.根据权利要求1所述的智能温室工业大麻无土栽培与藏红花套种的方法，其特征在于步骤二中在每行相邻大麻苗之间种植6棵藏红花，在相邻行之间种植6棵藏红花。

5.根据权利要求1所述的智能温室工业大麻无土栽培与藏红花套种的方法，其特征在于步骤二每棵藏红花的花盆尺寸为：直径为16cm,高度为16cm。

CN110583462B说明书1/2页

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智能温室工业大麻无土栽培与藏红花套种的方法

技术领域

[0001]本发明涉及工业大麻套种领域。

背景技术

[0002]智能温室种植大麻由于环境的封闭性和小气候的形成，能有效防治虫害和工业大麻的病害，保证工业大麻的有机种植成果，而工业大麻分杈多植株高大，因此温室种植时需要稀疏种植，这样会造成智能温室空间的浪费，导致工业大麻成本提高，收入降低，不利于智能温室在工业大麻种植方面的应用。

发明内容

[0003]本发明要解决现有智能温室种植时需要稀疏种植，造成智能温室空间的浪费，导致工业大麻成本高的技术问题，而提供智能温室工业大麻无土栽培与藏红花套种的方法。

[0004]智能温室工业大麻无土栽培与藏红花套种的方法，具体按以下步骤进行：

[0005]一、在智能温室中，采用高架苗床种植工业大麻，控制行间距为0.95～1.05m,每行苗间距为0.95～1.05m;

[0006]二、在每行相邻大麻苗之间种植多棵藏红花，在相邻工业大麻种植行之间种植多棵藏红花；

[0007]三、按照工业大麻的培养方式同时对种植的工业大麻和藏红花进行浇水和喷施肥料，完成智能温室工业大麻无土栽培与藏红花套种的方法。

[0008]本发明的有益效果是：

[0009]本发明方法将工业大麻与藏红花进行套种，由于工业大麻和藏红花生长习性相匹配，因此该方法能充分利用智能温室的空