基于第一性原理的Si表面吸附及Si掺杂缺陷GaN磁性的机制研究.docx

基于第一性原理的Si表面吸附及Si掺杂缺陷GaN磁性的机制研究

一、引言

1.1研究背景与意义

半导体材料作为现代信息技术的基石，在电子、通信、能源等众多领域发挥着举足轻重的作用。硅（Si）作为第一代半导体材料，凭借其储量丰富、易于加工、性能稳定等优势，长期占据着半导体市场的主导地位，广泛应用于集成电路、传感器等领域，推动了计算机、智能手机等电子产品的飞速发展。然而，随着科技的不断进步，对半导体器件性能的要求日益提高，Si材料的局限性逐渐凸显，如电子迁移率有限、禁带宽度较窄等，限制了其在高频、高压、高温等极端条件下的应用。

氮化镓（GaN）作为第三代宽禁带半导体材料的代表，具有禁带宽度大