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基于第一性原理计算不同异质界面下硅石墨烯锂化机制研究.pdf

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    摘要

    硅（Si）由于具有较高的理论比容量（4200mAh/g）成为锂离子电池负极候选材料之

    一，但是锂化过程中的体积膨胀是Si负极实际应用的主要瓶颈。目前，利用具有优异电

    学及力学性能的石墨烯（Gra）与Si复合改性是缓解Si体积膨胀的有效方法之一，在石

    墨烯制备过程中产生的结构缺陷会直接影响Si/Gra体系的电子性质及储锂性能。本文基

    于第一性原理采用密度泛函理论，计算了Si/Gra体系的电子结构、电荷密度、扩散能垒

    和扩散系数等电化学性质，研究了不同缺陷结构的

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