IRF730B IRFS730B 400V N-Channel MOSFET技术规格与应用指南.pdfVIP

IRF730B/IRFS730B400V

N沟道MOSFET

GeneralDescription特性

这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用Fairchild专有的•5.5A,400V,RDS(on)=1.0Ω@VGS10V

平面DMOS技术制造。•低栅极电荷（典型值25nC）

•低Crss（典型值20pF）

这项先进技术特别针对最小化导通电阻、卓越的开关性•快速开关

能以及在雪崩和换向模式下承受高能脉冲进行了优化。这些器•100%雪崩测试

件非常适合用于基于半桥的高效开关电源和电子灯镇流器。•提高的dv/dt能力

D

G

TO‑220TO‑220F

GDSGDS

IRF系列IRFS系列

S

绝对最大额定值TC25°C，除非另有说明

符号参数IRF730BIRFS730B单位

VDSS漏源电压400V

ID漏电流‑连续（TC25°C）5.55.5*A

-连续（TC=100°C）3.53.5*A

IDM漏极电流‑脉冲(注1)2222*A

VGSS栅源电压30V

E雪崩能量(注释2)330mJ

AS

I雪崩电流(注释1)5.5A

AR

E重复雪崩能量(注释1)7.3mJ

AR

dv/dt峰值二极管恢复dv/dt(注3)5.5V/ns

PD