半导体器件仿真：功率器件仿真_4.功率器件结构与制造工艺.docx

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4.功率器件结构与制造工艺

在功率半导体器件的设计和仿真中，理解器件的结构和制造工艺是至关重要的。这一节将详细介绍功率器件的基本结构、主要类型以及制造工艺，为后续的仿真提供坚实的基础。

4.1功率器件的基本结构

功率半导体器件（如MOSFET、IGBT、二极管等）的基本结构决定了其电气特性和性能。了解这些基本结构有助于在仿真过程中准确建模和分析。

4.1.1Si基功率MOSFET

Si基功率MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）是一种常用的功率器件，其基本结构包括以下几个部分：

源极（Source）：通常是P+掺杂的区域，连接到器件的输入端。

漏极