选择性发射极太阳能电池制备技术的研究及产业化.docVIP

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2012年度激光与光电产业科技专项

选择性发射极太阳能电池制备技术的

研究及产业化

可行性报告

二○一二年五月

第一部分项目可行性报告

一、立项的背景和意义

（一）立项背景

本项目属于《浙江省十二五重大科技专项实施方案》中“新能源技术专项实施方案”/“高效太阳能光伏、光热利用技术和低能耗太阳能电池制造技术”领域。

进入21世纪以来，世界各国都面临着同样的能源问题：传统的燃料能源正在一天天减少，对环境造成的危害日益突出，同时全球还有20亿人得不到正常的能源供应。据2010年的统计，全世界能源消费结构中传统化石能源依然占据主导地位：原油消费占34%，煤炭占30%，天然气占24%。这种不可持续的能源消费模式已经引发了人类社会的深刻反思和对新能源、可再生能源的强烈需求。我国处于快速的工业化和现代化发展阶段，能源消费量日益攀升。2010年我国一次能源消费量为32.5亿吨标准煤，已成为全球第一能源消费大国，其中煤炭、原油和天然气消费量占比分别为70%、17%和4%，对煤炭和石油的依赖非常严重。考虑到我国人口众多的现状，化石能源资源严重不足，人均石油储量不到世界平均水平的1/10，人均煤炭储量仅为世界平均值的1/2。能源不足必将成为我国经济社会可持续发展的制约因素，积极寻求可持续发展的新能源解决方案在我国已经达成广泛的共识。

可再生能源中太阳能以其独有的优势而成为人们重视的焦点，因为太阳能具有储量的“无限性”。太阳能每秒钟放射的能量大约是1.6×1023KW，一年内到达地球表面的太阳能总量折合标准煤共约1.892×1023吨，是目前世界主要能源探明储量的一万倍。相对于常规能源的有限性，太阳能具有储量的“无限性”，取之不尽，用之不竭。这就为常规能源缺乏的国家和地区解决能源问题提供了美好前景。太阳能必将在世界能源结构转换中担纲重任，成为理想的替代能源。

太阳能光伏发电在太阳能热发电、风力发电、海洋发电、生物质能发电等许多可再生能源中具有重要的地位，光伏能源被认为是二十一世纪最重要的新能源。这是因为光伏发电有无可比拟的优点：充分的清洁性、绝对的安全性、相对的广泛性、确实的长寿命和免维护性、初步的实用性、资源的充足性及潜在的经济性等，应用

性区)形成低掺杂浅扩散区。结合其特征，实现选择性发射极结构的关键便是如何形成上面所说的两个区域。其实现方法有很多，但总的来说，可以分为双步扩散法和单步扩散法。双步扩散法是进行两次热扩散而形成该结构。而单步扩散法是在一次热扩散中形成该结构。这两种扩散法都有很多种操作形式。但由于双步扩散法存在不足（由于两步扩散法中硅片有两次高温热过程，对硅片的损害较大而且热耗也很大，从成结的质量和工艺成本来说，两步扩散法不太理想）。单步扩散法已逐渐成为制作选择性发射极的主要方法，其具体操作一般都是首先在硅片表面的不同区域得到不同量的扩散杂质源，由于扩散杂质源的不同将会得到不同的扩散结果，进行热扩散后就形成高低浓度的掺杂，得到选择性发射极结构。新工艺、设备的发展速度看，单步扩散制备SE电池已经是一个不可逆转的趋势，在未来2-3年内可能成为光伏市场的主流产品。寻找合适于大规模生产的工艺和方法将起到重要作用。

图2选择性发射极太阳能电池结构

目前可国内外可行的单步扩散制备选择性发射极的制程方案有：1、氧化层掩膜扩散-印刷法；2、激光涂源掺杂-电镀法。

1、氧化层掩膜扩散-印刷法：该方法是在清洗制绒后通过热氧生长的方法在硅片表面形成一层较薄的氧化层，然后根据丝网印刷前电极的图案在氧化层上开槽，再用弱碱清洗激光损伤层。在扩散时，没有开槽的区域由于氧化层的阻挡作用形成浅扩，开槽的区域形成重扩。

图3氧化层掩膜扩散-印刷法工艺流程图

该方法主要解决的问题：激光工艺的稳定性要保证，在几百微米宽的区域激光开槽所带来损伤层，需清洗干净；硅片需经历氧化和扩散两次高温过程，高温损伤比常规片要大，对硅片质量要求较高，普通多晶硅片可能满足不了要求；氧化层厚度和均匀性需要控制得较好，因为这直接影响到n+层的扩散质量。

2、激光涂源掺杂-电镀法：该方法分别处理前后电极，浅扩散和镀膜后先丝网印刷铝背场并烧结，然后在前表面旋涂磷源。再用激光按照栅线图案进行开槽并掺杂，形成局域重掺区。最后利用光诱导电镀在这些重掺区上电镀Ni/Cu/Ag金属层作为前电极。该电池优势在于非常小的有效遮挡面积和线间距，在这样的线间距下，可扩散超过100Ω/sqr的浅结，这样既提高了Voc和Isc，又能保证FF不会下降得太多。

图4激光涂源掺杂-电镀法工艺流程图

该方法需要解决的问题是：激光掺杂工艺的控制，激光在起到了关键作用，既要在SiNx上开槽又要形成重掺，并保证一定的表面掺杂浓度、激光的波长、脉冲频率和功率都需仔细权衡，并且稳定