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二维原子晶体二硒化铂与锑烯：结构调制策略与特性演变探究

一、引言

1.1研究背景与意义

在材料科学领域，二维原子晶体凭借其独特的原子结构和优异的物理化学性质，近年来成为研究热点，为诸多前沿领域的发展提供了新契机。二维原子晶体是指由原子通过共价键、离子键或范德华力等相互作用，在二维平面内紧密排列形成的具有单原子层或少数原子层厚度的材料。与传统三维材料相比，二维原子晶体因原子的二维限域效应，展现出许多新奇特性，如高载流子迁移率、强光学吸收、大比表面积等，在电子学、能源、催化、传感器等领域展现出巨大的应用潜力。

二硒化铂（PtSe?）作为一种典型的二维过渡金属二硫属化物（TMDs），具有独特的晶体结构和电子特性。其晶体结构中，硒原子以六边形紧密堆积排列，铂原子则位于两层硒原子之间的八面体间隙位置，形成类似于三明治的结构。这种结构赋予PtSe?半导体特性，且带隙随层数变化可在一定范围内调控，在光电探测器、场效应晶体管、催化等领域具有潜在应用价值。然而，目前PtSe?在实际应用中仍面临一些挑战，如电学性能有待进一步优化，在与其他材料集成时存在晶格失配和界面兼容性问题，限制了其性能提升和广泛应用。

锑烯作为VA族单元素烯的代表，是一种由锑原子组成的具有类石墨烯蜂窝状结构的二维材料。锑烯具有较大的固有带隙，同时具备较高的载流子迁移率，这使其在逻辑电路、传感器、锂离子电池等领域具有广阔的应用前景。但在实际应用中，锑烯同样面临诸多问题，例如生长过程中容易产生缺陷，导致材料性能不稳定；与衬底之间的晶格失配会影响其在器件中的性能表现。

对二硒化铂和锑烯进行结构调制，能够有效改善上述问题。通过结构调制，可以改变材料的晶体结构、原子排列方式、电子云分布等，进而调控其电学、光学、力学等性能，提高材料与其他材料的兼容性，拓展其应用范围。因此，研究二硒化铂和锑烯的结构调制及其特性，对于推动二维材料在实际应用中的发展具有重要的理论和现实意义。它不仅有助于深入理解二维材料结构与性能之间的内在关系，为新型二维材料的设计和开发提供理论指导，还能为解决实际应用中的关键问题提供新的途径和方法，促进相关领域的技术创新和产业发展。

1.2国内外研究现状

在二硒化铂的研究方面，国内外学者已在其制备方法、结构特性及应用探索等方面取得了一定成果。在制备方法上，机械剥离法能够制备高质量的二硒化铂单晶，但产量较低，难以满足大规模应用需求；化学气相沉积法（CVD）可实现大面积生长，然而生长过程中容易引入杂质和缺陷。关于结构特性，研究发现二硒化铂存在多种相结构，如1H相和1T相，不同相结构的电学、光学性质存在显著差异。在应用研究中，二硒化铂在光电探测器方面展现出较高的响应率和较快的响应速度，但在稳定性和制备工艺的可重复性方面仍需改进。目前，对于二硒化铂结构调制的研究相对较少，主要集中在通过掺杂来改变其电学性能，如掺杂二氧化钼可显著提高其导电性，但对于其他结构调制方法及其对材料综合性能影响的研究还不够系统和深入。

对于锑烯，国内外研究也取得了不少进展。制备方法上，化学气相沉积法是制备单层锑烯的常用方法，能够在不同衬底上生长出高质量的锑烯薄膜，但生长过程中的精确控制仍面临挑战。在结构和物性研究方面，已明确锑烯具有独特的翘曲蜂巢状结构，其电子结构和光学性质受结构影响明显。通过衬底与锑烯之间的晶格失配，已成功制备出平面蜂窝状结构的单层锑烯，并发现其电子结构出现了新的拓扑边界态。然而，目前对锑烯结构调制的研究主要局限于通过衬底诱导应力来改变其结构，对于其他有效的结构调制手段，如缺陷工程、合金化等的研究还处于起步阶段，相关的理论和实验研究都有待加强。

综合来看，当前二硒化铂和锑烯在结构调制及特性研究方面虽然取得了一定成果，但仍存在许多不足与空白。一方面，对结构调制方法的探索不够全面和深入，缺乏对各种调制方法系统的比较和优化；另一方面，对于结构调制后材料特性的变化规律及内在机制的研究还不够透彻，难以实现对材料性能的精准调控。此外，在将结构调制后的材料应用于实际器件时，如何解决与现有工艺的兼容性问题，也是亟待解决的关键问题。

1.3研究内容与方法

本研究聚焦于二硒化铂和锑烯的结构调制方法及对特性的影响，具体内容如下：

二硒化铂的结构调制：深入探究二硒化铂的不同相结构（如1H相和1T相）的制备方法，研究通过掺杂（如二氧化钼、氢等元素）、引入缺陷等手段对其结构进行调制的方法，分析结构调制前后二硒化铂的晶体结构、电子结构变化。

锑烯的结构调制：探索利用衬底诱导应力、缺陷工程、合金化等多种方法对锑烯进行结构调制，研究不同结构调制方法对锑烯晶格结构、原子排列的影响，分析结构变化与锑烯电子特性、光学特性之间的关系。

结构调制对材料特性的影响：系统研究结构调制后的