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脉冲电镀对封装互连中纯Sn焊点Sn须生长的影响：机理、实验与应用研究

一、引言

1.1研究背景

在当今电子产业迅猛发展的时代，电子设备正朝着小型化、轻量化、高性能以及高可靠性的方向大步迈进。电子封装作为实现电子器件电气连接、机械支撑与环境保护的关键技术，其重要性不言而喻。焊点，作为电子封装互连中的核心部分，承担着机械连接与电气传输的双重重任，对电子设备的可靠性起着决定性作用。在众多的焊点材料中，纯Sn焊点凭借其良好的导电性、导热性、润湿性以及较低的成本等优势，在电子封装领域得到了极为广泛的应用，成为了电子封装互连中的关键材料之一。

然而，纯Sn焊点在实际应用过程中却面临着一个严峻的问题，那就是Sn须的生长。Sn须是在纯Sn或含Sn合金表面自发形成的细长、针状的锡单晶，其直径通常仅有几个微米，但其长度却可以长达数毫米甚至超过10毫米。这些Sn须的生长可能会引发一系列严重的可靠性问题，如短路、开路等，从而对电子设备的正常运行构成严重威胁。例如，在一些精密的电子设备中，如航空航天设备、医疗电子设备等，Sn须的生长可能会导致设备出现故障，甚至危及生命安全。据相关研究表明，Sn须的生长与多种因素密切相关，其中包括焊点的制备工艺、镀层厚度、温度、湿度以及应力等。这些因素相互作用，使得Sn须的生长机制变得极为复杂，给Sn须的控制带来了极大的困难。

在众多影响Sn须生长的因素中，电镀工艺作为焊点制备的关键环节，对Sn须的生长有着至关重要的影响。传统的直流电镀工艺在电子封装中应用广泛，但其存在着一些固有的缺点，如镀层结晶粗大、内应力较大等，这些缺点往往会导致Sn须的生长速率加快。相比之下，脉冲电镀作为一种新型的电镀技术，通过控制脉冲参数，能够有效地改善镀层的组织结构和性能，从而有望抑制Sn须的生长。脉冲电镀通过提供具有一定通断比例的变化电流，在电流导通时，阴极表面附近液层中金属离子被充分沉积；当电流关断时，阴极周围的放电离子又恢复到初始浓度。这种独特的电流供应方式能够使沉积层晶粒细化，降低析氢等副反应，减少镀层内应力，从而为抑制Sn须生长提供了新的途径和方法。

1.2研究目的与意义

本研究旨在深入探究脉冲电镀对封装互连中纯Sn焊点Sn须生长的影响规律，通过系统研究脉冲电镀参数与Sn须生长特性之间的关系，揭示脉冲电镀抑制Sn须生长的内在机制，为电子封装中纯Sn焊点的制备工艺优化提供坚实的理论基础与可靠的技术支持。

从理论层面来看，目前对于Sn须生长机制的认识仍存在诸多不足，尤其是在脉冲电镀影响下的Sn须生长行为及内在机制方面的研究还相对匮乏。本研究通过深入分析脉冲电镀对焊点微观结构、应力状态以及原子扩散等方面的影响，有望进一步完善Sn须生长的理论体系，为后续相关研究提供更为深入和全面的理论指导。

从实际应用角度而言，电子设备的可靠性是其在市场竞争中立足的关键因素。Sn须生长所引发的短路、开路等问题严重威胁着电子设备的可靠性，而脉冲电镀作为一种具有潜在抑制Sn须生长能力的技术，若能深入了解其对Sn须生长的影响并加以有效利用，将为提高电子封装的可靠性提供新的技术手段。通过优化脉冲电镀工艺参数，可以制备出性能更加优异的纯Sn焊点，从而降低电子设备因Sn须生长而出现故障的风险，延长电子设备的使用寿命，提高其市场竞争力。此外，本研究的成果还可以为电子封装行业的工艺改进提供重要的参考依据，推动整个电子封装行业的技术进步和发展，具有重要的现实意义。

1.3国内外研究现状

在Sn须生长研究方面，国内外学者已进行了大量的工作。国外学者早在20世纪中期就开始关注Sn须问题，如在1951年，Bell实验室首次发现了Sn须现象，此后，众多学者对Sn须的生长机制、影响因素等进行了深入研究。在生长机制方面，普遍认为Sn须生长的驱动力主要来源于Sn和Cu之间在室温下反应生成的Cu?Sn?金属间化合物，这种反应在Sn内部产生压应力，由于Sn的室温均匀化温度较高，Sn原子沿晶界扩散较快，压应力通过原子扩散和重新排列来释放，导致垂直于应力方向的Sn原子层迁移，沿着晶界向锡须根部扩展，促使锡须生长，且只要存在自由的Sn和Cu原子，锡须生长就会持续进行，是一个自发过程。在影响因素研究上，发现晶粒取向和尺寸、镀层厚度、镀层下材料、温度和湿度以及材料纯度等都对Sn须生长有显著影响。例如，柱状晶和单晶柱状晶更容易导致锡须生长，2-3μm厚的涂层在高应力下发生锡须的可能性最大，Ni作为底衬材料时锡须生长倾向小，而Cu作为底衬材料时锡须生长倾向大，低温低湿条件下锡须生长的可能性较小，纯锡表面最容易使锡须