磁场中有限石墨烯体系的边缘流特性及自旋 - 轨道耦合对光吸收的影响探究.docxVIP

磁场中有限石墨烯体系的边缘流特性及自旋-轨道耦合对光吸收的影响探究

一、引言

1.1研究背景与意义

石墨烯作为一种由单层碳原子以六边形蜂窝状排列构成的二维材料，自2004年被安德烈?盖姆和康斯坦丁?诺沃肖洛夫成功分离以来，凭借其独特的物理特性，如超高的电子迁移率、出色的热导性和机械强度等，在电子、能源、生物医学等众多领域展现出巨大的应用潜力，成为了材料科学领域的研究热点。

在磁场环境下，石墨烯体系的电子行为会发生有趣且复杂的变化，这为研究其物理性质和潜在应用提供了新的视角。磁场中的石墨烯能够展现出量子霍尔效应，其独特的边缘态和电子输运特性与磁场强度、方向密切相关。对这些特性的深入研究，不仅有助于揭示低维材料中的量子物理现象，深化对凝聚态物理基本原理的理解，还能为新型量子电子器件的设计和开发提供理论基础。

边缘流作为石墨烯在磁场中特有的一种电子输运现象，其对石墨烯的电学性能有着关键影响。边缘流的存在使得石墨烯的边缘具有独特的导电性质，这种性质在纳米电子器件，如石墨烯基场效应晶体管、量子比特等中具有潜在的应用价值。通过调控边缘流，可以实现对器件电学性能的有效控制，从而提高器件的性能和稳定性，推动纳米电子学的发展。

自旋-轨道耦合是量子力学中的一个基本现象，描述了电子自旋和其在原子轨道中的运动之间的相互作用。在石墨烯中，自旋-轨道耦合效应虽然相对较弱，但在特定条件下，如与具有强自旋-轨道耦合的材料复合时，会对石墨烯的电子结构和光学性质产生显著影响。研究自旋-轨道耦合对石墨烯光吸收的影响，对于开发新型光电器件，如光电探测器、发光二极管等具有重要意义。通过调节自旋-轨道耦合强度，可以实现对石墨烯光吸收特性的精确调控，从而满足不同光电器件的需求，拓展石墨烯在光电子领域的应用。

1.2国内外研究现状

在磁场中有限石墨烯体系边缘流的研究方面，国内外学者取得了一系列重要成果。中国科学院物理研究所的研究团队利用氢等离子体各向异性刻蚀辅助的石墨烯纳米结构加工技术，制备了锯齿形边缘石墨烯纳米带，并通过磁输运测量和非局域测量，成功观测到了与边缘态相关的电导峰和电压信号，证实了边缘态参与导电，且这种边缘导电是锯齿形边缘所独有的。以色列魏茨曼科学研究所的A.Aharon-Steinberg等人利用SQUID-on-tip（SOT）对石墨烯进行纳米尺度下的热与栅极扫描成像，研究表明石墨烯边缘的电荷累积是其强非局域态的起因，并产生了支持长程电流的狭窄导电通道，在中等磁场下会导致边沿与体输运之间的场致解耦。

关于自旋-轨道耦合的研究，国内外也有众多进展。中国科学院半导体研究所骆军委研究组与科罗拉多大学AlexZunger教授等合作，在中心对称晶体中揭示和裁剪隐藏Rashba自旋劈裂，发现中心对称晶体中存在隐藏的自旋轨道耦合效应，这一理论引起了广泛关注，并被大量独立实验所验证。在应用方面，自旋-轨道耦合效应在量子计算、量子通信以及光子集成电路等领域具有潜在的应用价值，成为新型光子器件研究的热点。

在光吸收特性研究上，对于二维材料包括石墨烯，其光吸收与材料的结构、层数、能带结构等密切相关。研究发现，石墨烯的光吸收系数与层数近似成线性关系，单层石墨烯的光吸收系数约为2.3%permonolayer。通过与其他材料形成异质结构，如石墨烯/WS?，可通过能带工程实现光吸收的可调性。

然而，当前研究仍存在一些不足。对于磁场中有限石墨烯体系边缘流的研究，大多集中在特定边缘结构和磁场条件下，对于更复杂的边缘形状和变化磁场下的边缘流特性研究较少。在自旋-轨道耦合对石墨烯光吸收影响的研究中，如何精确调控自旋-轨道耦合强度以实现对光吸收的有效控制，以及自旋-轨道耦合与其他因素（如温度、杂质等）共同作用下光吸收特性的变化规律，仍有待深入探索。本研究将针对这些不足，深入探讨磁场中有限石墨烯体系的边缘流特性、自旋-轨道耦合机制及其对光吸收的影响，以期为石墨烯在相关领域的应用提供更坚实的理论基础和技术支持。

1.3研究内容与方法

本研究将围绕磁场中有限石墨烯体系展开，深入探究其边缘流特性、自旋-轨道耦合机制及其对光吸收的影响。具体研究内容如下：

磁场中有限石墨烯体系边缘流特性研究：系统研究不同磁场强度、方向以及石墨烯边缘形状、尺寸等因素对边缘流的影响规律。通过理论分析和数值模拟，建立边缘流的理论模型，揭示边缘流的产生机制和电子输运特性，为石墨烯基纳米电子器件的设计提供理论依据。

自旋-轨道耦合机制研究：深入探讨自旋-轨道耦合在石墨烯中的作用机制，分析其与石墨烯电子结构、晶体对称性等因素的关系。研究如何通过外部手段（如电场、与其他材料复合等）精确调控自旋-轨道耦合强度，