WO2025138608A1 平面栅型碳化硅mosfet功率器件及其制造方法 （南京第三代半导体技术创新中心有限公司）.docxVIP

(12)按照专利合作条约所公布的国际申请

(19)世界知识产权组织国际局

(43)国际公布日

2025年7月3日(03.07.2025)

WIPOIPCT

(10)国际公布号

WO2025/138608A1

(51)国际专利分类号：

HO1L29/78(2006.01)H01L21/336(2006.01)

(21)国际申请号：PCT/CN2024/098115

(22)国际申请日：2024年6月7日(07.06.2024)

(25)申请语言：中文

(26)公布语言：中文

(30)优先权：

202311836348.X2023年12月28日(28.12.2023)CN(71)申请人：南京第三代半导体技术创新中 心有限公司(NANJINGTHIRDGENERATION SEMICONDUCTORTECHNOLOGYINNOVATIONCENTERCO.,LTD.)[CN/CN];中国江苏省南京

市江宁区秣周东路9号无线谷综合

楼8408、8409室(江宁开发区)211111(CN)。中国电子科技集团公司第五十五研究所(CHINAELECTRONICSTECHNO-LOGYGROUPCORPORATIONNO.55RESEARCHINSTITUTE)[CN/CN];中国江苏省南京市秦淮区中山东路524号210016(CN)。南京第三代半导体技术创新中心(NANJINGTHIRDGENERATIONSEMICONDUCTORTECHNOLOGYINNOVATIONCENTER)[CN/CN];中国江苏省南京市江宁区正方中路166号211111(CN)。

(72)发明人张：跃(ZHANG,Yue);中国江苏省南京市江宁区正方中路166号211111(CN)。柏松(BAI,Song);中国江苏省南京市江宁区正方中路166号211111(CN)。李士颜(LI,Shiyan);中国江苏省南京市江宁区正方中路166号211111(CN)。

WO2025/138608A1

WO2025/138608A1

(54)Title:PLANAR-GATESILICONCARBIDEMOSFETPOWERDEVICEANDMANUFACTURINGMETHODTHEREFOR

(54)发明名称：平面栅型碳化硅MOSFET功率器件及其制造方法

图1

(57)Abstract:Aplanar-gatesiliconcarbideMOSFETpowerdeviceandamanufacturingmethodtherefor.Thedevicecomprisesafeaturetrench(6),afirstconductivetypesiliconcarbidesubstrate(2),afirstconductivetypesiliconcarbideepitaxiallayer(3),firstconductivetypesourceregions(5),afirstconductivetypechanneldiodesourceregion(7),secondconductivetypewellregions(4),andasecondconductivetypechanneldiodewellregion(8).Achanneldiodecontrolgate(10-2)isformedinthefeaturetrench(6),andagateelectrode(10-1)isformedonthesurfaceofthefirstconductivetypesiliconcarbideepitaxiallayer(3).

(57)摘要：一种平面栅型碳化硅MOSFET功率器件及其制造方法。该器件包括特征沟槽(6),第一导电类型碳化硅衬底(2)、第一导电类型碳化硅外延层(3)、第一导电类型源区(5)和第一导电类型沟道二极管源区(7),第二导电类型阱区(4)和第二导电类型沟道二极管阱区(8)。特征沟槽(6)之中形成有沟道二极管控制栅(10-2),第一导电类型碳化硅外延