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半导体晶圆减薄技师（高级）考试试卷及答案
半导体晶圆减薄技师（高级）考试试卷及答案
一、填空题（共10题，每题1分，共10分）
1.晶圆减薄核心工艺包括机械研磨和__________。
2.晶圆常用厚度单位是__________（μm）。
3.功率器件减薄后典型厚度为10-__________μm。
4.晶圆固定方式有蜡粘和__________吸附。
5.CMP浆料核心成分含磨粒、氧化剂和__________。
6.减薄最常见边缘缺陷是__________。
7.机械研磨盘常用材质为__________（如铸铁）。
8.减薄后需用__________清洗残留浆料。
9.300mm晶圆减薄需__________设备保证平整度。
10.厚度均匀性需实时监测__________参数。
一、填空题答案
1.化学机械抛光（CMP）
2.微米
3.100
4.静电
5.分散剂
6.崩边
7.金属（铸铁）
8.去离子水（DI水）
9.高精度
10.研磨压力（厚度）
二、单项选择题（共10题，每题2分，共20分）
1.最低表面粗糙度的减薄工艺是？
A.机械研磨B.CMPC.化学刻蚀D.等离子刻蚀
2.防晶圆崩边的关键是？
A.提高压力B.边缘倒角C.增加浆料浓度D.降转速
3.CMP磨粒主要作用是？
A.化学腐蚀B.机械去除C.分散浆料D.氧化表面
4.减薄厚度检测常用仪器是？
A.SEMB.厚度计C.AFMD.分光光度计
5.导致厚度不均的是？
A.研磨盘平整B.晶圆装夹偏心C.浆料流量稳D.压力均匀
6.机械研磨主要缺点是？
A.效率低B.粗糙度高C.成本高D.污染大
7.静电吸附不具备的优势是？
A.环保B.无残留C.易操作D.成本低
8.清洗主要目的不包括？
A.去浆料B.去颗粒C.去氧化层D.干燥晶圆
9.功率器件减薄目标厚度接近？
A.5μmB.50μmC.200μmD.500μm
10.影响平整度的设备部件是？
A.浆料泵B.研磨盘电机C.厚度传感器D.清洗喷嘴
二、单项选择题答案
1.B2.B3.B4.B5.B6.B7.D8.D9.B10.B
三、多项选择题（共10题，每题2分，共20分）
1.减薄主要步骤包括？
A.装夹B.机械研磨C.CMPD.清洗E.光刻
2.常见减薄缺陷有？
A.划痕B.崩边C.厚度不均D.氧化层厚E.颗粒污染
3.CMP浆料成分含？
A.SiO?磨粒B.H?O?氧化剂C.分散剂D.黏合剂E.溶剂
4.晶圆固定方式有？
A.蜡粘B.静电吸附C.机械夹持D.真空吸附E.胶水粘贴
5.影响厚度均匀性的因素？
A.研磨盘平整度B.装夹精度C.压力分布D.浆料流量E.环境温度
6.清洗常用方法？
A.DI水冲洗B.超声清洗C.毛刷清洗D.化学清洗E.等离子清洗
7.机械研磨优势是？
A.效率高B.成本低C.质量好D.污染小E.设备简单
8.300mm晶圆减薄要求？
A.高平整度B.低崩边率C.均匀性好D.粗糙度低E.高产能
9.实时监测参数有？
A.研磨压力B.厚度C.浆料温度D.转速E.晶圆位置
10.减薄设备关键部件？
A.研磨盘B.抛光垫C.厚度传感器D.浆料系统E.光刻版
三、多项选择题答案
1.ABCD2.ABCE3.ABCE4.ABD5.ABCD6.ABCDE7.ABE8.ABCDE9.ABCDE10.ABCD
四、判断题（共10题，每题2分，共20分）
1.机械研磨粗糙度比CMP高。（）
2.减薄无需考虑内部应力。（）
3.静电吸附比蜡粘环保。（）
4.CMP效率比机械研磨高。（）
5.减薄后仅用DI水清洗即可。（）
6.边缘倒角防崩边。（）
7.300mm晶圆减薄难度比200mm低。（）
8.研磨盘平整度不影响均匀性。（）
9.浆料温度影响CMP效果。（）
10.减薄后可直接进下道工艺。（）
四、判断题答案
1.√2.×3.√4.×5.×6.√7.×8.×9.√10.×
五、简答题（共4题，每题5分，共20分）
1.机械研磨与CMP的主要区别
答案：机械研磨以机械切削为主，效率高（去除率1μm/min）但粗糙度高（几百nm），易留划痕/应力；CMP结合化学氧化+机械去除，粗糙度低（几nm）、应力小，但效率低（0.1μm/min）、成本高，多用于精减薄。粗减薄用机械研磨，精减薄用CMP，兼顾效率与质量。
2.崩边原因及预防措施
答案：原因：边缘无倒角、压力过大、装夹偏心、研磨盘磨损。措施：1.减薄前边缘倒角；2.厚度减小则逐步降压力；3.精准装夹无偏心；4.定期修整研磨盘；5.边缘低压力研磨。
3.减薄后清洗工艺要点
答案：1.即时清洗：避免浆料残留；2.多步清洗：DI水冲洗→超声清洗（去微颗粒）→化学清洗（去氧化剂/磨粒）；3.干燥：氮气旋干防水渍；4.超净间操作防二次污染；5.颗粒计数检测合格
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