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理论欧姆定律给出直流电位和直流电流的简单关系:? E=iR (1)当有交流参与时，关系式为:? Eac=iacZ (2),其中Z为阻抗
WorkingElectrodeCounterElectrodeReferenceElectrodePOTENTIOSTATGALVANOSTATDiff.ampl.senseDEFGABCHIElectrochemicalCell
+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-WECEREPOTENTIOSTATGALVANOSTATDiff.ampl.sDEFGABCHI
ElectrochemicalImpedanceSpectroscopyFRA:FrequencyResponseAnalysisPotentiostaticorgalvanostaticmeasurements
ReviewofaccircuitsApurelysinusoidalvoltagecanbeexpressedasWhereωistheangularfrequency,whichis2πtimestheconventionalfrequencyinhertz.Thecurrentlagsthevoltage,itcanbeexpressedgenerallyasWhereφisaphaseangle.
ReviewofaccircuitsApureresistanceR,E=IR,wherethephaseiszero.ApurecapacitanceC,WhereXcisthecapacitivereactance,1/ωCAcomparisonofRandXcshowsthatXcmustcarrydimensionsofresistance,butthemagnitudeofXcfallswithincreasingfrequency.
ReviewofaccircuitsComponentsalongtheordinateareassignedasimaginaryandalongtheabscissaarereal,thus,wehandletheseparametersmathematicallyas“real”or“imaginary”.AvoltageEisappliedacrossRandCWhereZ=R-jXc,calledtheimpedance.
RsolRctCdl
DEFHIGHFREQUENCYLOWFREQUENCY
Bode图:lg(Z)~lg(f)和φ~lg(f)Nyquist图:Z’~-Z”
CdlRp(RC)并联元件[RC]串联元件
常用元件:电阻R相位角:00
常用元件:电容C 相位角:900
CPE常相元素CONSTANTPHASEELEMENTSURFACEROUGHNESSHETEROGENEOUSSURFACEn=1ONLYCAPACITANCEn=0ONLYRESISTANCECIRCUITELEMENTZ=1/(?Q)nQ=
n=1Q=Cn?1n=0.8Q?C
单纯电阻:R高频低频
电阻与电容串联[RC]高频低频RRC
电阻与电容并联(RC)高频低频
复合体系这三种等效电路的曲线都一样!必须结合实际体系来选择合适用的电路。
R(Q[R(RQ)])R(RQ)(RQ)
R(RQ)(RQ)
CRRPdlorCPEWZWR1(C[R2W])扩散元件:W通常扩散都发生在低频的时候,故一般与电阻串联!
RRPWZWR1(C[R2W])CorCPER1R1+R2与电阻串联!45oW=line
WRW
常用元件:感抗L(1)非屏蔽线引起的感抗；(2)因不可逆过程引起的感抗；—相位角：-900—通常出现在最高频位置。—在Nyquist图中出现绕圈的形状。—通常出现在中、低频区。
LRQ(1)非屏蔽线引起的感抗L
METHANOLFUELCELLPTELECTRODER(Q(R[RL]))(2)因不可逆过程引起的感抗L
更复杂的体系
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