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2026工艺整合招聘题目及答案

单项选择题

1.以下哪种材料常用于集成电路栅极？

A.铜

B.铝

C.多晶硅

D.金

答案：C

2.光刻工艺中，用于转移图案的是？

A.晶圆

B.掩膜版

C.光刻胶

D.显影液

答案：B

3.化学机械抛光（CMP）主要作用是？

A.去除杂质

B.表面平坦化

C.刻蚀图案

D.增加膜厚

答案：B

4.离子注入的目的是？

A.改变材料颜色

B.改变材料电学性质

C.增加材料硬度

D.减少材料厚度

答案：B

5.哪种气体常用于等离子体刻蚀？

A.氧气

B.氮气

C.氯气

D.氢气

答案：C

6.热氧化工艺生长的氧化层主要成分是？

A.硅

B.二氧化硅

C.氮化硅

D.碳化硅

答案：B

7.物理气相沉积（PVD）不包括以下哪种方法？

A.溅射

B.蒸镀

C.化学镀

D.分子束外延

答案：C

8.衡量光刻分辨率的指标是？

A.套刻精度

B.焦深

C.线宽

D.对比度

答案：C

9.湿法刻蚀的优点是？

A.各向异性好

B.选择比高

C.可重复性好

D.清洁度高

答案：B

10.晶圆测试主要检测？

A.外观缺陷

B.电学性能

C.粗糙度

D.化学组成

答案：B

多项选择题

1.工艺整合涉及的主要工艺有？

A.光刻

B.刻蚀

C.沉积

D.掺杂

答案：ABCD

2.影响光刻工艺的因素有？

A.光刻胶性能

B.曝光能量

C.掩膜版质量

D.显影时间

答案：ABCD

3.刻蚀工艺可分为？

A.湿法刻蚀

B.干法刻蚀

C.等离子体刻蚀

D.反应离子刻蚀

答案：AB

4.常用的薄膜沉积方法有？

A.化学气相沉积（CVD）

B.物理气相沉积（PVD）

C.原子层沉积（ALD）

D.电镀

答案：ABC

5.离子注入的参数包括？

A.能量

B.剂量

C.角度

D.纯度

答案：ABC

6.热工艺包括？

A.热氧化

B.退火

C.扩散

D.化学机械抛光

答案：ABC

7.衡量工艺稳定性的指标有？

A.良率

B.重复性

C.均匀性

D.分辨率

答案：ABC

8.工艺整合中需考虑的因素有？

A.工艺兼容性

B.成本

C.生产效率

D.环保要求

答案：ABCD

9.以下哪些属于半导体制造中的杂质？

A.硼

B.磷

C.铁

D.铜

答案：ABCD

10.改善光刻分辨率的方法有？

A.减小光源波长

B.增大数值孔径

C.采用浸没式光刻

D.优化光刻胶

答案：ABCD

判断题

1.工艺整合的目的是优化整个芯片制造流程。（）

答案：对

2.光刻工艺中曝光剂量越大越好。（）

答案：错

3.干法刻蚀比湿法刻蚀的各向异性更好。（）

答案：对

4.化学气相沉积只能用于沉积二氧化硅。（）

答案：错

5.离子注入后不需要退火处理。（）

答案：错

6.热氧化过程中温度越高氧化速度越快。（）

答案：对

7.物理气相沉积可以在常温下进行。（）

答案：错

8.工艺整合只需要关注工艺本身，不用考虑设备。（）

答案：错

9.湿法刻蚀不会对晶圆产生损伤。（）

答案：错

10.提高光刻分辨率可以提升芯片集成度。（）

答案：对

简答题

1.简述工艺整合的主要步骤。

答案：工艺整合主要步骤有：明确需求与目标，设计工艺方案；进行单元工艺开发与优化；做工艺集成与测试，评估性能；修正优化方案；最后实现量产，持续监控改进。

2.光刻工艺的基本流程是什么？

答案：基本流程为：在晶圆上涂覆光刻胶；用掩膜版进行曝光，将图案转移到光刻胶；再用显影液显影，去除部分光刻胶；最后进行刻蚀或离子注入等后续工艺。

3.化学机械抛光（CMP）的原理是什么？

答案：CMP是化学作用和机械作用相结合。化学试剂使材料表面发生化学反应变软，磨料和抛光垫在压力下机械去除反应后的软质层，达到表面平坦化目的。

4.离子注入与扩散掺杂有什么区别？

答案：离子注入是通过高能离子束将杂质注入晶圆，可精确控制剂量和深度；扩散掺杂是利用高温使杂质原子扩散进入晶圆，浓度分布较难精确控制，注入损伤需退火修复，扩散温度高。

讨论题

1.讨论工艺整合中如何平衡成本与性能。

答案：可选用性价比高的原材料和设备，优化工艺减少步骤降低成本。同时，不能过度压缩成本牺牲性能，要保证关键工艺质量，通过技术创新提高效率，在成本可控下提升性能。

2.分析光刻技术发展对工艺整合的影响。

答案：光刻技术发展提高分辨率，能实现更小线宽，提升芯片性能与集成度。但也增加工艺难度与成本，对其他工艺兼容性要求更高，需工艺整合优化各环节配合，确保整体制造顺利。

3.探讨如何提高工艺整合的生产效率。