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2026工艺整合招聘真题及答案

单项选择题（每题2分，共10题）

1.光刻工艺中，对准精度主要影响（）。

A.图形尺寸B.套刻精度C.光刻胶厚度D.曝光能量

2.以下哪种气体常用于化学气相沉积（CVD）？（）

A.氧气B.氮气C.硅烷D.氩气

3.氧化工艺可提高硅片的（）。

A.导电性B.绝缘性C.硬度D.韧性

4.蚀刻工艺中，选择比是指（）。

A.蚀刻速率之比B.蚀刻面积之比C.蚀刻深度之比D.蚀刻时间之比

5.外延生长与沉积的主要区别是（）。

A.生长温度B.原子排列方式C.气体种类D.反应压力

6.用于衡量光刻分辨率的指标是（）。

A.波长B.数值孔径C.瑞利判据D.相干度

7.离子注入工艺后的退火目的是（）。

A.去除杂质B.修复晶格损伤C.改变晶向D.降低表面粗糙度

8.化学机械抛光（CMP）主要用于（）。

A.表面清洗B.去除氧化层C.全局平坦化D.图形转移

9.MOS器件中，栅氧化层的作用是（）。

A.提供载流子B.隔离栅极和沟道C.增加电容D.降低电阻

10.在半导体制造中，湿法清洗常用的试剂是（）。

A.酒精B.氢氧化钠溶液C.去离子水D.硫酸-双氧水混合液

多项选择题（每题2分，共10题）

1.影响光刻线条宽度的因素有（）。

A.曝光波长B.数值孔径C.光刻胶性能D.衬底材料

2.化学气相沉积（CVD）可分为（）。

A.常压CVDB.低压CVDC.等离子体增强CVDD.激光辅助CVD

3.离子注入工艺的优点有（）。

A.精确控制杂质浓度B.低温工艺C.均匀性好D.设备简单

4.蚀刻工艺可分为（）。

A.湿法蚀刻B.干法蚀刻C.化学蚀刻D.物理蚀刻

5.半导体工艺中，常用的清洗方法有（）。

A.湿法清洗B.干洗C.超声清洗D.兆声波清洗

6.以下哪些因素会影响氧化速率（）。

A.温度B.氧气分压C.硅片晶向D.硅片表面粗糙度

7.外延生长的方法有（）。

A.气相外延B.液相外延C.分子束外延D.离子束外延

8.化学机械抛光（CMP）的关键参数有（）。

A.压力B.抛光垫转速C.抛光液流量D.背压

9.MOS器件的性能参数包括（）。

A.阈值电压B.跨导C.漏极电流D.击穿电压

10.半导体制造中的光刻工艺包括（）。

A.涂胶B.曝光C.显影D.刻蚀

判断题（每题2分，共10题）

1.光刻工艺中，曝光波长越短，分辨率越高。（）

2.化学气相沉积（CVD）只能在高温下进行。（）

3.离子注入后的杂质分布是均匀的。（）

4.湿法蚀刻比干法蚀刻的选择性好。（）

5.氧化工艺会使硅片表面的杂质浓度降低。（）

6.外延生长时，衬底和外延层的晶格常数必须完全相同。（）

7.化学机械抛光（CMP）可以实现全局平坦化，但不能提高表面平整度。（）

8.MOS器件的阈值电压只与栅氧化层厚度有关。（）

9.光刻胶的敏感度越高，曝光时间越短。（）

10.半导体制造中的清洗工艺主要是为了去除有机物。（）

简答题（每题5分，共4题）

1.简述光刻工艺的基本流程。

-答：光刻基本流程为涂胶，在硅片表面均匀涂光刻胶；曝光，用特定波长光照使光刻胶感光；显影，去除曝光或未曝光部分光刻胶；坚膜，增强光刻胶与硅片附着力。

2.离子注入工艺后为什么要进行退火处理？

-答：离子注入会造成晶格损伤。退火可修复晶格损伤，使杂质原子进入晶格替代位置，达到电激活，恢复半导体材料电学性能和晶体结构。

3.化学机械抛光（CMP）的原理是什么？

-答：CMP原理是通过化学反应和机械研磨共同作用。抛光液中的化学物质与硅片表面材料化学反应，形成易去除层，抛光垫机械摩擦去除该层，实现平坦化。

4.简述MOS器件的工作原理。

-答：MOS器件由栅、源、漏极和衬底等组成。在栅极加电压产生电场，调控半导体表面沟道形成与载流子浓度，改变源漏间电流导通状态，实现开关或放大功能。

讨论题（每题5分，共4题）

1.讨论光刻工艺对半导体制造的重要性。

-答：光刻是半导体制造核心工艺。它决定芯片图形