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相变存储器新型器件结构的理论模拟与性能优化研究

一、引言

1.1研究背景与意义

随着信息技术的飞速发展，数据存储技术成为了支撑现代社会数字化进程的关键基石。从个人电子设备到大型数据中心，存储技术的性能和容量需求不断攀升，驱动着研究者们持续探索新型存储技术。相变存储器（PhaseChangeMemory，PCM）作为一种极具潜力的新型非易失性存储技术，近年来受到了广泛关注。

相变存储器的基本原理是利用相变材料在晶态和非晶态之间相互转化时所表现出来的导电性差异来存储数据。这种独特的存储机制赋予了相变存储器诸多优势，使其在存储领域展现出巨大的发展潜力。在性能方面，相变存储器具备高速读写能力，其