Fe(Cu、Cr)掺杂Ge(Si)基稀磁半导体薄膜：制备、性能与应用探索.docx

Fe(Cu、Cr)掺杂Ge(Si)基稀磁半导体薄膜：制备、性能与应用探索

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今信息时代，随着信息技术的飞速发展，人们对信息存储和处理的速度、密度以及能耗等方面提出了越来越高的要求。传统的半导体材料主要利用电子的电荷属性来实现信息的传输和处理，而铁磁体则主要利用电子的自旋属性来实现磁性存储等功能。然而，随着信息量需求的日益增大，传统的半导体和铁磁体独立工作带来的不足愈发凸显，例如在数据传输和存储过程中，由于需要分别控制电子的电荷和自旋，导致器件结构复杂，能耗增加，且信息处理速度受到限制。

为了解决这些问题，集电子的电荷和自旋于一体的稀释磁性半导体（Dilut