CN112086423B 半导体结构及其制造方法 （台湾积体电路制造股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN112086423B(45)授权公告日2025.07.04

(21)申请号201910822039.4

(22)申请日2019.09.02

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN112086423A

(43)申请公布日2020.12.15

(30)优先权数据

16/440,9982019.06.14US

(73)专利权人台湾积体电路制造股份有限公司地址中国台湾新竹科学工业园区新竹市力

行六路八号

(72)发明人陈宪伟杨庆荣陈洁

(51)Int.CI.

H01L23/485(2006.01)

H01L23/48(2006.01)

H01L23/544(2006.01)

(56)对比文件

US2014042613A1,2014.02.13US2014070832A1,2014.03.13审查员李知宇

(74)专利代理机构南京正联知识产权代理有限

公司32243专利代理师顾伯兴

权利要求书2页说明书14页附图12页

(54)发明名称

半导体结构及其制造方法

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CN112086423B(57)摘要一种半导体结构，包括衬底、内连结构、焊盘、保护层以及接合结构。内连结构设置在衬底之上。焊盘设置在内连结构之上且电连接到内连结构。焊盘的顶表面具有探针标记且探针标记具有凹表面。保护层共形地覆盖焊盘的顶表面及探针标记。接合结构设置在保护层之上。接合结构包括接合介电层及第一接合金属层，第一接合金

CN112086423B

(57)摘要

CN112086423B权利要求书1/2页

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1.一种半导体结构，包括：

内连结构，设置在衬底之上；

焊盘，设置在所述内连结构之上且电连接到所述内连结构，其中所述焊盘的顶表面具有探针标记且所述探针标记具有凹表面；

保护层，共形地覆盖所述焊盘的所述顶表面及所述探针标记；以及

接合结构，设置在所述保护层之上，其中所述接合结构包括接合介电层及第一接合金属层，所述第一接合金属层穿透所述接合介电层及所述保护层以电连接到所述焊盘；

钝化层，设置在所述焊盘与所述内连结构之间以及所述接合结构与所述内连结构之间；以及

第二接合金属层，位于所述焊盘旁边，其中所述第二接合金属层穿透所述接合介电层、所述保护层及所述钝化层以电连接到所述内连结构。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，

其中所述保护层延伸覆盖所述焊盘的侧壁以及所述钝化层的顶表面。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述第二接合金属层的高度大于所述第一接合金属层的高度。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述第一接合金属层着陆在所述焊盘之上且与所述探针标记隔开大于零的距离。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述保护层直接接触所述探针标记，且覆盖所述探针标记的所述保护层具有另一凹表面。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括：

顶盖层，设置在所述焊盘的所述顶表面与所述保护层之间，其中所述探针标记从所述顶盖层的顶表面凹陷到所述焊盘的所述顶表面中。

7.根据权利要求6所述的半导体结构，还包括：

钝化层，设置在所述焊盘与所述内连结构之间以及所述接合结构与所述内连结构之间，其中所述保护层共形地覆盖所述顶盖层的所述顶表面及所述探针标记，且延伸覆盖所述焊盘的侧壁及所述钝化层的顶表面。

8.一种半导体结构，包括：

内连结构，设置在衬底之上；

焊盘，设置在所述内连结构之上且电连接到所述内连结构；

保护层，设置在所述焊盘之上，其中所述焊盘的顶表面具有探针标记且所述探针标记具有凹表面；以及

接合结构，设置在所述保护层之上，其中所述接合结构包括接合介电层及第一接合金属层，所述第一接合金属层穿透所述接合介电层及所述保护层以电连接到所述焊盘，且

所述接合介电层至少包括覆盖所述焊盘且直接接触所述探针标记的第一接合介电材料。

9.根据权利要求8所述的半导体结构，还包括：

顶盖层，设置在所述保护层的顶表面之上，其中所述探针标记从所述顶盖层的顶表面凹陷到所述焊盘的所述顶表面中。

10.根据权利要求9所述的半导体结构，其中所述第一接合金属层穿透所