CN110957369B 半导体装置的形成方法 （台湾积体电路制造股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN110957369B(45)授权公告日2025.07.04

(21)申请号201910923807.5

(22)申请日2019.09.27

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN110957369A

(43)申请公布日2020.04.03

(30)优先权数据

62/737,6982018.09.27US

16/548,4302019.08.22US

(73)专利权人台湾积体电路制造股份有限公司地址中国台湾新竹市

(72)发明人丁姮兹陈科维李启弘郑培仁宋学昌李彦儒林俊安

(74)专利代理机构隆天知识产权代理有限公司

72003

专利代理师王宇航黄艳

(51)Int.CI.

H10D30/62(2025.01)

H10D30/01(2025.01)

(56)对比文件

US2016027918A1,2016.01.28

US2016027877A1,2016.01.28US2016315081A1,2016.10.27审查员张羽豪

权利要求书4页说明书14页附图28页

(54)发明名称

半导体装置的形成方法

(57)摘要

CN110957369B一种半导体装置的形成方法包括蚀刻半导体鳍片以形成凹槽；以及形成源极/漏极区域于凹槽之中，形成源极/漏极区域包括：在600℃至800℃的温度下外延成长第一半导体材料于凹槽之中，第一半导体材料包括掺杂的硅锗；以及在300℃至600℃的温度下顺应性地沉积第二半导体材料于第一半导体材料之上，第二半导体材料

CN110957369B

CN110957369B权利要求书1/4页

2

1.一种半导体装置的形成方法，包括：

蚀刻一或多个半导体鳍片以形成一或多个凹槽；以及

形成源极/漏极区域于该一或多个凹槽之中，其中形成该源极/漏极区域包括：

在600℃至800℃的一温度下外延成长一第一半导体材料于该一或多个凹槽之中，该第一半导体材料包括掺杂的硅锗；以及

外延成长一第二半导体材料于该第一半导体材料上，该第二半导体材料包括掺杂的硅锗且与该第一半导体材料具有一不同的组成；

在300℃至600℃的一温度下顺应性地沉积一第三半导体材料于该第二半导体材料之上，该第三半导体材料包括掺杂的硅锗且与该第二半导体材料具有一不同的组成，其中沉积该第三半导体材料的步骤包括：

顺应性沉积一第一半导体层于该第二半导体材料上并接触该第二半导体材料；以及在沉积该第一半导体层时，输送一蚀刻气体，

顺应性沉积一第四半导体材料于该第三半导体材料上，该第四半导体材料包括掺杂的硅锗且与该第三半导体材料具有一不同的组成，其中该第一半导体材料的最顶点低于该第三半导体材料的最底点与该第四半导体材料的最底点，且其中该第一半导体材料、该第二半导体材料、该第三半导体材料、与该第四半导体材料包括晶面。

2.如权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其中该一或多个凹槽包括一第一凹槽及一第二凹槽，其中在外延成长该第二半导体材料时，该第一凹槽上的第二半导体材料与第二凹槽上的第二半导体材料融合。

3.如权利要求2所述的半导体装置的形成方法，其中该第二半导体材料包括硅锗，其具有百分之40至50的锗原子百分比以及大于6x1020原子/cm3的硼浓度。

4.如权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其中该一或多个凹槽包括一第一凹槽及一第二凹槽，其中在外延成长该第三半导体材料时，该第一凹槽上的第三半导体材料与第二凹槽上的第三半导体材料融合。

5.如权利要求4所述的半导体装置的形成方法，其中该第三半导体材料包括硅锗，其具有百分之60至80的锗原子百分比以及大于8x1020原子/cm3的硼浓度。

6.如权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其中该第一半导体材料在压力5Torr至50Torr下外延成长，以及该第三半导体材料在压力大于20Torr下顺应性地沉积。

7.如权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其中外延成长该第一半导体材料包括：在该一或多个凹槽中外延成长一第二半导体层，第二半导体层具有1nm至10nm的厚度，

第二半导体层包括20至40原子百分比的锗浓度，第二半导体层包括小于5x102?原子/cm3的硼掺质浓度。

8.如权利要求7所述的半导体装置的形成方法，其中该第一半导体层具有大于20nm的厚度，该第一半导体层包括60至