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多晶硅题库试卷及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题（请将正确选项的代表字母填写在题后的括号内）

1.多晶硅与单晶硅的主要区别在于（）。

A.化学成分不同

B.纯度不同

C.晶体结构不同

D.导电性不同

2.在多晶硅生产中，西门子法主要使用的还原剂是（）。

A.氢气

B.氮气

C.硅烷

D.三氯氢硅

3.下列哪种杂质元素对于多晶硅的半导体性能影响最大？（）

A.碳

B.氧

C.硼（或磷，取决于目标导电类型）

D.氢

4.流化床法生产多晶硅相比改良西门子法的主要优点是（）。

A.产品纯度更高

B.能耗更低

C.设备投资更小

D.操作更简单

5.使用四探针法测量多晶硅电阻率时，主要测量的是（）。

A.体电阻率

B.表面电阻率

C.探针接触电阻

D.绝缘电阻

二、填空题（请将答案填写在横线上）

6.多晶硅的主要生产方法包括改良西门子法和______法。

7.影响多晶硅电阻率的主要因素有硅纯度、晶体缺陷、温度和______。

8.西门子法生产多晶硅过程中产生的尾气主要成分是三氯甲烷和______。

9.为了降低多晶硅中的金属杂质含量，通常会在还原前对粗硅进行______处理。

10.多晶硅是制造______和______的核心原材料。

三、简答题

11.简述西门子法生产多晶硅的主要工艺流程。

12.解释什么是多晶硅的“杂质”，并列举三种主要的杂质类型及其对光伏或半导体应用的影响。

13.简述多晶硅生产过程中控制氢氧杂质含量的重要性及常用方法。

四、计算题

14.某厂使用改良西门子法生产多晶硅，每小时投入三氯氢硅（SiHCl?）流量为1000Nm3（标准立方米），氢气流量为985Nm3，反应炉温度为1100℃。已知SiHCl?的转化率为95%，试计算该小时生产线的理论氢耗量（单位：Nm3/h）及实际氢耗量（假设实际氢气流量比理论需求多5%）。（提示：SiHCl?+H?→Si+3HCl）

五、论述题

15.论述多晶硅生产过程中，原料纯度对于最终产品性能的重要性，并分析至少两种主要的原料杂质来源及其控制措施。

试卷答案

一、选择题

1.C

解析：多晶硅由多个取向不同的小晶粒组成，而单晶硅是晶格结构连续、取向一致的材料。本质区别在于晶体结构。

2.C

解析：改良西门子法通过热氢还原三氯氢硅来制备多晶硅，化学反应式为SiHCl?+H?→Si+3HCl。

3.C

解析：硼（P型）或磷（N型）是常用的掺杂剂，少量即可显著改变硅的导电性。碳、氧、氢虽然也是杂质，但过量的它们更多是导致材料性能下降或工艺问题。

4.B

解析：流化床法具有反应温度低、升温速度快、生产周期短、能耗相对较低等优点。

5.A

解析：四探针法通过测量四个探针间的电压和电流，主要用于计算样品的体电阻率，即材料内部的平均电阻率。

二、填空题

6.流化床

解析：目前工业上多晶硅生产主要采用改良西门子法和流化床法两种技术。

7.硅纯度

解析：硅纯度是决定多晶硅电阻率的最主要因素，杂质尤其是金属杂质会显著增加电阻率。

8.氢气

解析：西门子法尾气主要包含未反应的SiHCl?分解产生的HCl和还原剂氢气，以及甲烷等。

9.熔炼

解析：熔炼可以去除粗硅中部分杂质，特别是金属杂质。

10.单晶硅棒；硅片

解析：多晶硅是制造半导体产业中核心材料单晶硅棒的原材料，单晶硅棒再切割成硅片用于制造光伏电池或集成电路。

三、简答题

11.解析：

西门子法主要流程包括：原料准备（将SiHCl?和H?混合气化）、反应器主体（高温热解反应，SiHCl?在1100-1150℃下分解并沉积在热墙上形成多晶硅）、产品收集（冷壁收集料）、尾气处理（分离HCl和SiHCl?，回收再利用）、以及辅助系统（温度、压力、气体流量控制等）。

12.解析：

杂质是指存在于多晶硅材料中、其含量远低于硅元素本身的异种原子。主要类型包括：

*金属杂质（如Fe,Al,Ca,Na等）：显著降低载流子寿命，影响电池效率，增加漏电流。

*间隙杂质（如C,O,H等）：易在晶格中形成缺陷，降低迁移率，增加补偿率，影响电学性能，也可能导致器件老化。

*碳化物、硅氧烷等非金属化合物：会形成绝缘相，破坏晶粒连续性，影响电接触和电流收集。

这些杂质会降低多晶硅的纯度，直接影响其电学和光学性能，尤其是在要求极高的半导体领