光致应力影响下TFT退化及其机制研究.pdfVIP

光致应力影响下的TFT

光照会造成阈值电压随偏压应力（BiasStress）变化加快，这会造成液晶面板显示，

迁移率也会有所变化，影响分辨率。长期偏压应力使得器件的阈值容易发生漂移，TFT阈值

漂移会直接引起像素发光亮度的变化，影响整体显示质量。

光致应力造成的不稳定性主要是由栅极绝缘层的空穴捕获引起的，即光照会产生光生载

流子，电子或是空穴，增加自由载流子浓度，减小Vth，当撤销光照经过一段时间，Vth又

恢复到之前的大小，Vth的变化与关照的波长和光照能量有关，可见光照的波长越小，对关

态电流的影响越大，光能越大，开电流越小，关电流越大。

(a)

图a表现了传输特性在-20V的阴栅极偏压下，用光照强度为8000cd/m2的光照射

1000s漏电流的变化情况。在图中出现了两个情况，一是亚阈值电压；二是Vt阈值电

压漂移。

为了研究上述不稳定性的，下面将测量不同栅极偏压和光照强度下传输特性的变化情

况。

(b)

从图b看，不稳定性和栅极偏置以及光强度之间有很强的相关性。随着栅极偏压和光

照强度的增加后，不稳定性变化大到无法忽略。经对比发现TFT的不稳定性主要与照射光

的光能量的增强有关。为了证实上述结论，将对不同的光照强度下的传输特性进量，进

而了解引起峰值、亚阈值以及阈值电压漂移的。

(c)

图c表明了SS随着光照强度的增加，得越明显，并最终峰值出现在上升沿。这种

现象可以解释为：在扫描开始时光生空穴因为负栅偏压被困栅极绝缘层上。随后，电子开始

在通道积累，当电子开始积累时，被困的空穴与累积的电子复合。因此，SS的是由复

合引起的，而不是因为阈值电压漂移。

而且光强越强，会的光生空穴获，从而增加空穴捕获的可能性而使得SS

变得更大。在图d的上升沿中，SS随着扫描负电压的增加（绝对值），而得更明显。

而这些结果都支持栅绝缘层上的空穴俘获是SS的这一设想。

（d）

然而反向扫描（由正20V到-20V）对SS的没有任何影响，如图e所示，这是因

为空穴俘获的速率比电子累计的速率慢，所以SS在反向扫描中没有变化。

这与被广泛接受的SS是随着栅极和沟道的界面陷阱密度的增加而增大这一理论不

同。因为如果这是界面陷阱造成的，那么开态电流应该会因为载流子在界面的散射而减

少，而且传输特性在正反向扫描都应该保持一致。

基于上述结果，可以得出结论：SS的和驼峰的出现是SIO2上的空穴捕获造成的。

这些被困的空穴会快速的有效的与累积电子复合从而使得亚阈值电压。

(e)