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Ta或La掺杂HfO?薄膜结构与性能的深度剖析
一、绪论
1.1研究背景与意义
随着信息技术的飞速发展，集成电路作为现代电子设备的核心部件，其性能的提升对于推动整个电子产业的进步具有至关重要的作用。在集成电路中，栅介质材料是决定器件性能的关键因素之一。传统的二氧化硅（SiO?）栅介质材料，由于其介电常数较低（k≈3.9），在器件尺寸不断缩小的过程中，面临着诸多挑战。当SiO?栅介质层厚度减小时，漏电流会急剧增加，这对于低功率器件来说是无法忍受的，因为漏电流的增大不仅会增加功耗，还可能导致器件发热，影响其稳定性和可靠性。此外，栅极、二氧化硅和硅衬底之间存在杂质浓度梯度，杂质会从栅极扩散到硅
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