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模拟电子技术基础课后答案（完整版）

说明：本答案基于模拟电子技术基础核心教材章节编排，涵盖各章节习题的客观题（填空、判断、选择）和主观题（简答、分析）详细解答，部分习题涉及图形分析的已补充文字说明，可供学习者核对练习成果、梳理知识重点使用。

第一章半导体器件基础课后答案

一、填空题

在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的杂质浓度，而少数载流子的浓度则与温度有很大关系。

当PN结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层变窄。当外加反向电压时，扩散电流小于漂移电流，耗尽层变宽。

在N型半导体中，电子为多数载流子，空穴为少数载流子。

半导体二极管当正偏时，势垒区变窄，扩散电流大于漂移电流。

在常温下，硅二极管的门限电压约0.6V，导通后在较大电流下的正向压降约0.7V；锗二极管的门限电压约0.1V，导通后在较大电流下的正向压降约0.2V。

在常温下，发光二极管的正向导通电压约1.2～2V，高于硅二极管的门限电压；考虑发光二极管的发光亮度和寿命，其工作电流一般控制在5～10mA。

利用硅PN结在某种掺杂条件下反向击穿特性陡直的特点而制成的二极管，称为稳压二极管。这种管子的四种主要参数分别是最大整流电流、反向击穿电压、反向电流和极间电容。

二、判断题

由于P型半导体中含有大量空穴载流子，N型半导体中含有大量电子载流子，所以P型半导体带正电，N型半导体带负电。（×）

解析：P型和N型半导体本身呈电中性，空穴和电子只是载流子数量差异，整体电荷平衡。

在N型半导体中，掺入高浓度三价元素杂质，可以改为P型半导体。（√）

解析：高浓度掺杂可改变多数载流子类型，实现半导体类型转换。

扩散电流就是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。（×）

解析：扩散电流由载流子的浓度梯度引起，而非杂质浓度本身，杂质浓度影响的是载流子浓度分布。

本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。（×）

解析：动态平衡是激发和复合的速率相等，并非停止作用。

PN结在无光照无外加电压时，结电流为零。（√）

解析：无外界激励时，扩散电流与漂移电流相互抵消，总电流为零。

温度升高时，PN结的反向饱和电流将减小。（×）

解析：反向饱和电流由少数载流子漂移形成，温度升高会使少数载流子数量增加，反向饱和电流增大。

PN结加正向电压时，空间电荷区将变宽。（×）

解析：正向电压削弱内电场，空间电荷区变窄。

三、选择题

二极管加正向电压时，其正向电流是由（a）。

a.多数载流子扩散形成b.多数载流子漂移形成c.少数载流子漂移形成d.少数载流子扩散形成

PN结反向偏置电压的数值增大，但小于击穿电压，（c）。

a.其反向电流增大b.其反向电流减小c.其反向电流基本不变d.其正向电流增大

稳压二极管是利用PN结的（d）。

a.单向导电性b.反偏截止特性c.电容特性d.反向击穿特性

二极管的反向饱和电流在20℃时是5μA，温度每升高10℃，其反向饱和电流增大一倍，当温度为40℃时，反向饱和电流为（c）。

a.10μAb.15μAc.20μAd.40μA

解析：20℃到40℃升高20℃，即2个10℃，电流增大22倍，5μA×4=20μA。

变容二极管在电路中使用时，其PN结是（b）。

a.正向运用b.反向运用

解析：变容二极管利用反向电压改变势垒电容，需反向偏置运用。

四、简答题

PN结的伏安特性有何特点？

答：PN结的伏安特性可用方程\(I_D=I_S(e^{\frac{V}{V_T}}-1)\)表示（其中\(I_D\)为流过PN结的电流，\(I_S\)为反向饱和电流，\(V\)为外加电压，\(V_T\)为温度电压当量，常温下\(V_T\approx26mV\)），核心特点为单向导电性和非线性：

①正向导通：当外加正向电压\(V\)为正值且大于\(V_T\)几倍时，\(e^{\frac{V}{V_T}}\gg1\)，\(I_D\approxI_Se^{\frac{V}{V_T}}\)，正向电流随正向电压增加按指数规律增大；

②反向截止：当外加反向电压\(V\)为负值且绝对值大于\(V_T\)几倍时，\(e^{\frac{V}{V_T}}\approx0\)，\(I_D\approx-I_S\)，仅流过很小的反向饱和电流，且基本不随反向电压变化。

什么是PN结的反向击穿？PN结的反向击穿有哪